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公开(公告)号:CN105814686A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括:第一开关元件(20);第二开关元件(30);第一金属构件(50);第二金属构件(54);第一端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN104701306B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201410738558.X
申请日:2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置,其包括:半导体元件,其设置在平面上;密封树脂,其对所述半导体元件进行密封;端子,其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分;以及凹部,当沿与所述平面垂直的方向观察时,所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时,在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号:CN106062950A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580012369.7
申请日:2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号:CN105814686B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201480067494.3
申请日:2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号:CN106062950B
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201580012369.7
申请日:2015-01-15
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,具有:半导体元件;第一板状部,其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接,并具备从侧面突起的第一接头部,且由导电体构成;第二板状部,其具备从侧面突起的第二接头部,且由导电体构成,所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置,且经由导电性的接合材料而被电连接,在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处,设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号:CN105900289A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201480072596.4
申请日:2014-12-30
CPC classification number: H01R13/03 , H01R12/716 , H01R13/05 , H01R13/11 , H01R2201/26
Abstract: 一种端子连接结构,包括:凸端子(16);以及凹端子(31)),其上装配有所述凸端子。所述凸端子包括第一金属材料(161)以及形成在所述凸端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第一金属材料的第一金属膜(163)。所述凹端子包括第二金属材料(311)以及形成在所述凹端子的最外表面上以直接或间接地涂覆所述第二金属材料的第二金属膜(312)。所述第一金属材料的硬度不同于所述第二金属材料的硬度。
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公开(公告)号:CN104701306A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201410738558.X
申请日:2014-12-05
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体装置,其包括:半导体元件,其设置在平面上;密封树脂,其对所述半导体元件进行密封;端子,其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分;以及凹部,当沿与所述平面垂直的方向观察时,所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时,在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号:CN105849894A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480071098.8
申请日:2014-12-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/051
CPC classification number: H01L23/26 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/564 , H01L2924/18301
Abstract: 一种半导体装置,包括金属构件(54)、半导体元件(30)、树脂部(66)、底料层、以及剥离抑制部。所述金属构件具有包括半导体元件安装区(540b)和树脂紧密接触区(540a)的表面,所述树脂紧密接触区从所述半导体元件安装区延伸至所述金属构件的外周边缘。所述半导体元件安装在所述半导体元件安装区上。所述树脂部延伸到所述金属构件的侧表面外的位置,与所述树脂紧密接触区紧密接触,并一体地覆盖所述半导体元件和所述金属构件。所述底料层布置在所述树脂紧密接触区和所述树脂部之间。所述剥离抑制部被构造成抑制所述金属构件和所述树脂部在所述树脂紧密接触区的外周部彼此剥离。
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