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公开(公告)号：CN105814686A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067494.3
申请日：2014-12-09
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体装置包括：第一开关元件(20)；第二开关元件(30)；第一金属构件(50)；第二金属构件(54)；第一端子(40)，其具有在高电位侧上的电位；第二端子(42)，其具有在低电位侧上的电位；第三端子(44)，其具有中点电位；以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号：CN105814686B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480067494.3
申请日：2014-12-09
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号：CN104347573B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410350640.5
申请日：2014-07-22
IPC分类号： H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开，提供一种引线框架，包括：并排地布置的第一岛和第二岛；外周框架；第一引线，第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二引线，第二引线在第二方向上延伸；第一联结部分，第一联结部分将第一引线联结到框架；第二联结部分，第二联结部分将第二引线联结到框架；中间部分，中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止；和变形抑制部分，变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中，并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号：CN106165202A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
摘要： 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN105518841A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2224/2612 , H01L2224/26175 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83007 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2224/92242 , H01L2224/92247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置(20)，其包括：对置的第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)；多个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)，它们每个介于第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)之间；金属块(44、50、314、316)，其介于第一金属板(36、56)和每个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)之间；焊料构件(46、52)，其介于第一金属板(36、56)和金属块(44、50、314、316)之间并且将第一金属板(36、56)连接至金属块(44、50、314、316)；以及注塑树脂(74)，其密封半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)和金属块(44、50、314、316)。第一金属板(36、56)的一面，其为金属块(44、50、314、316)经由焊料构件(46、52)连接至第一金属板(36、56)的一面的对置侧，暴露于注塑树脂(74)外。第一金属板(36、56)具有沿着其中设置有焊料构件(46、52)的区域的外周形成的凹槽(70、72)，凹槽(70、72)共同围绕焊料构件(46、52)，以便防止焊料构件(46、52)在第一金属板(36、56)的黏结面上散布。每个半导体元件(26、30、206、210、306、310)可以是功率半导体开关元件，诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)，其在转换电功率时进行开关操作，以及每个半导体元件(28、32、208、212、308、312)可以是为了在中断对应的一个半导体元件(26、30、206、210、306、310)时循环电流所需要的回流二极管。
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公开(公告)号：CN106165202B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
摘要： 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN104701306B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410738558.X
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H01L23/047 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在平面上；密封树脂，其对所述半导体元件进行密封；端子，其电连接到所述半导体元件并且包括从所述密封树脂的预定表面突出的部分；以及凹部，当沿与所述平面垂直的方向观察时，所述凹部从所述预定表面朝向所述半导体元件侧凹进。当沿与所述平面垂直的方向观察时，在所述半导体元件侧的所述凹部的边包括R形状。
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公开(公告)号：CN106062950A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN106062950B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580012369.7
申请日：2015-01-15
摘要： 本发明提供一种半导体装置，具有：半导体元件；第一板状部，其与所述半导体元件的上表面侧的电极电连接，并具备从侧面突起的第一接头部，且由导电体构成；第二板状部，其具备从侧面突起的第二接头部，且由导电体构成，所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面以对置的方式被配置，且经由导电性的接合材料而被电连接，在所述第一接头部的下表面与所述第二接头部的上表面对置的部分处，设置有确保所述第二接头部的顶端上部和所述第一接头部的下表面之间的所述接合材料的厚度的接合材料厚度确保单元。
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公开(公告)号：CN105518841B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
摘要： 半导体装置包括：对置的第一和第二金属板；多个半导体元件，均介于第一和第二金属板之间；金属块，其介于第一金属板和每个半导体元件之间；焊料构件，其介于第一金属板和金属块之间且将第一金属板连接至金属块；和注塑树脂，其密封半导体元件和金属块。第一金属板的一面，其为金属块经由焊料构件连接至第一金属板的一面的对置侧，暴露于注塑树脂外。第一金属板具有沿着其中设置有焊料构件的区域外周形成的凹槽，凹槽共同围绕焊料构件以防止焊料构件在第一金属板的黏结面上散布。每个半导体元件可以是功率半导体开关元件如IGBT，其在转换电功率时进行开关操作，且每个半导体元件可以是为了在中断对应的一个半导体元件时循环电流所需的回流二极管。
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