公开(公告)号：CN105706221A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480061004.9

申请日：2014-09-18

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  增田健良 ,  滨岛大辅 ,  田中聪 ,  木村真二 ,  小林正幸

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2856 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326 ,  H01L22/14 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

摘要： 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加-5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105706221B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201480061004.9

申请日：2014-09-18

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  山田俊介 ,  堀井拓 ,  增田健良 ,  滨岛大辅 ,  田中聪 ,  木村真二 ,  小林正幸

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

摘要： 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的所述第一主表面(10a)。所述栅电极(27)设置在所述栅极绝缘膜(15)上，使得所述栅极绝缘膜(15)位于所述栅电极(27)和所述碳化硅衬底(10)之间。在175℃的温度下向栅电极(27)施加‑5V的栅电压达100小时的第一应力测试中，第一阈值电压和第二阈值电压之差的绝对值不大于0.5V，所述第一应力测试之前的阈值电压被定义为所述第一阈值电压并且所述第一应力测试之后的阈值电压被定义为所述第二阈值电压。因此，提供了阈值电压的波动可减弱的碳化硅半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105453220A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043442.2

申请日：2014-06-13

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811

摘要： 一种碳化硅半导体衬底，包括：具有外径不小于100mm的主表面且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；以及形成在主表面(1A)上的外延层(2)。碳化硅半导体衬底(10)当衬底温度为室温时具有不小于-100μm且不大于100μm的翘曲量，并且在衬底温度为400℃时具有不小于-1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN105579626A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052597.2

申请日：2014-08-11

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 田中聪 ,  冲田恭子 ,  西口太郎 ,  久保田良辅 ,  神原健司

IPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02021 ,  C30B23/00 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608

摘要： 一种碳化硅半导体衬底(10)包括第一主表面(10a)和与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)具有大于100mm的最大直径，且碳化硅半导体衬底(10)具有不大于700μm的厚度。在从第一主表面(10a)的外周端部分(OR)朝向第一主表面(10a)的中心(O)的5mm以内的区域(OR2)中，在具有1mm2的面积的任意区域处，位错密度为不大于500/mm2。因此，提供有能抑制裂缝产生的碳化硅半导体衬底。

公开(公告)号：CN102859660A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180018861.7

申请日：2011-11-07

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅 ,  和田圭司 ,  增田健良 ,  盐见弘

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 制备具有表面的碳化硅衬底。通过执行通过表面到碳化硅衬底中的离子注入而形成杂质区（123至125）。执行用于活化杂质区的退火。退火包括：利用具有第一波长的第一激光照射碳化硅衬底的表面的步骤，以及利用具有第二波长的第二激光照射碳化硅衬底的表面的步骤。碳化硅衬底在第一和第二波长下分别具有第一和第二消光系数，第一消光系数与第一波长的比率大于5×105/m。第二消光系数与第二波长的比率小于5×105/m。因此可以减小在激光退火期间对碳化硅衬底表面的损伤。

公开(公告)号：CN114300947A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111015048.6

申请日：2021-08-31

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅

IPC分类号： H01S5/42 ,  G01M11/00

摘要： 本发明提供面发射激光器的测定方法、制造方法及测定装置、记录介质，能够测定出面发射激光器的光的正确的光谱。面发射激光器的测定方法具有：使面发射激光器发光的步骤；以及使光学系统的光轴分别与所述面发射激光器的多个位置一致来分别对所述多个位置处的光谱进行测定的步骤。

公开(公告)号：CN105453220B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201480043442.2

申请日：2014-06-13

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀井拓 ,  久保田良辅 ,  增田健良

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811

摘要： 一种碳化硅半导体衬底，包括：具有外径不小于100mm的主表面且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；以及形成在主表面(1A)上的外延层(2)。碳化硅半导体衬底(10)当衬底温度为室温时具有不小于‑100μm且不大于100μm的翘曲量，并且在衬底温度为400℃时具有不小于‑1.5mm且不大于1.5mm的翘曲量。

公开(公告)号：CN115411614A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210123332.3

申请日：2022-02-10

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/30

摘要： 本发明提供一种垂直腔面发射激光器。本公开的一个方面所涉及的垂直腔面发射激光器具备：衬底，其具有包含III‑V族化合物半导体的主面；以及半导体结构物，其具有设置在主面上的极柱。主面相对于(100)面具有大于2°的偏离角。极柱包含在与主面交叉的第一方向上排列的有源层以及电流约束层。电流约束层包含孔径部和包围孔径部的绝缘部。电流约束层在与第一方向正交的截面中具有单轴对称形状或者非对称形状。

公开(公告)号：CN114300948A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111148577.3

申请日：2021-09-28

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅

IPC分类号： H01S5/42 ,  H01S5/00

摘要： 本发明涉及一种阵列元件的制造方法、制造装置及存储介质。阵列元件的制造方法包括：在晶片上形成多个光学元件的工序；检查所述多个光学元件的工序；基于所述检查的结果而以得到仅包含所述多个光学元件中的所述检查中的良品的阵列元件的方式决定划片线的工序；及沿着所述划片线对所述晶片进行划片而形成所述阵列元件的工序。

公开(公告)号：CN114199371A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110813190.9

申请日：2021-07-19

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 久保田良辅

IPC分类号： G01J1/42 ,  G01M11/02 ,  H01S5/00 ,  H01S5/42

摘要： 提供能够缩短测定时间的面发射激光器的测定方法、制造方法、测定装置及测定程序。面发射激光器的测定方法具有：使面发射激光器发光的工序；及测定所述面发射激光器的光强度及频谱的工序，其包括使在所述使面发射激光器发光的工序中从所述面发射激光器射出的光分支，使分支的光中的一个向光强度测定部射入，使另一个向频谱测定部射入。