真空层压装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104851826B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201510086886.0

    申请日:2015-02-17

    Abstract: 本发明提供一种真空层压装置,在制造半导体装置时使用,其具备框架结构,其围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面,附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成,框架结构具有保持手段,其保持搭载有半导体元件的基板或形成有半导体元件的晶片,并使基板或晶片隔着空间地与附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向,前述装置将被框架结构围绕的附带支撑基材的密封材料与基板或晶片一起进行真空层压。由此,尤其是即使在使用大面积的基板(或晶片)的情况下,也会抑制树脂层内的孔隙的产生和基板(或晶片)的翘曲,并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。

    硅酮树脂组合物、含荧光体波长转换薄膜及它们的固化物

    公开(公告)号:CN103205126B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201310016191.6

    申请日:2013-01-16

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种作为透明且具有较高耐热性、耐光性、及阻气性的发光元件保护材料的硅酮树脂组合物。为了解决上述课题,本发明提供了一种硅酮树脂组合物,其特征在于,其含有:(A‑1)含梯形结构聚有机硅氧烷(polyorganosiloxane),具有梯形结构,且分子内具有2个以上的烯基;(B‑1)含梯形结构氢聚有机硅氧烷(hydrogen polyorganosiloxane),具有梯形结构,且分子内具有2个以上的键结于硅原子上的氢原子,及/或(B‑2)氢聚有机硅氧烷,分子内具有2个以上的键结于硅原子上的氢原子。

    光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置

    公开(公告)号:CN103165794A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201210544701.2

    申请日:2012-12-14

    CPC classification number: H01L2224/45144 H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供光学半导体装置用基台及制造方法,用于实现机械性稳定且高耐久性、高散热性的光学半导体装置。一种光学半导体装置用基台的制造方法,光学半导体装置用基台具有多个晶片载持部,用于载持半导体晶片;多个信号连接部,电性连接于被载持的半导体晶片并向外部提供电极部;具有:准备金属框架的工序,金属框架形成有多个晶片载持部与信号连接部,信号连接部具有厚度小于多个晶片载持部的厚度的部分;制造光学半导体装置用基台的工序,以使多个晶片载持部的表面和背面同时露出且信号连接部的至少一面露出的方式,利用树脂填埋除已形成于金属框架上的多个晶片载持部与信号连接部之外的部分,且将光学半导体装置用基台形成为板状。

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