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公开(公告)号：CN117779187A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803238.3
申请日：2023-12-26
申请人： 北京信息科技大学
IPC分类号： C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G01Q60/24 , G01N23/207 , G01N23/2273 , G01N23/04 , G01N23/223
摘要： 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中Sb/Ga束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb长波红外超晶格；其中，InAs/GaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；As/In的V/Ⅲ等效束流比为7，Sb/Ga的V/Ⅲ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAs/GaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAs/GaSb长波红外超晶格(吸收区)特性的理解，为InAs/GaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。
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公开(公告)号：CN118676239B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118884607A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN117784291B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
申请人： 北京信息科技大学
IPC分类号： G02B1/00 , G01N21/3563
摘要： 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118392825A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410323959.2
申请日：2024-03-20
申请人： 北京信息科技大学
摘要： 本申请涉及片上单模光波导测量领域，公开了一种片上单模光波导有效折射率的测量方法，包括以下步骤：S1、提供一个测量系统；S2、输入光，并获取两个马赫曾德干涉结构的归一化光谱；S3、在相同波段内，记录光谱中多个连续波谷的波长值；S4、确定第一马赫曾德干涉结构第一个波谷的级次系数K；S5、利用级次系数K，构建第一和第二散点集，并计算对应的有效折射率；S6、对相同K取值时的第一和第二散点集进行合并，并进行曲线拟合；S7、通过比较不同K值时的曲线拟合度，确定最高拟合度对应的K值。本发明能够高效地确定片上单模波导有效折射率的实际值和干涉光谱中波谷的级次，解决了片上单模波导有效折射率难以准确测量的问题。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN117826307A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
申请人： 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN118393662A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410282003.2
申请日：2024-03-12
申请人： 北京信息科技大学
摘要： 本发明涉及半导体光电子技术领域，公开了一种基于硅基锗外延的感算一体硅光神经网络系统，包括单波长可调谐激光器、高Q值硅基微环光频率梳、硅基光分束器、硅锗感算一体阵列、光电探测模块、外围信号检出模块。所述硅锗感算一体阵列，由多个硅锗感光微环排列组成，所述硅锗感光微环包括深度为110nm、宽度为450nm的add‑drop型微环、在部分微环上进行选区外延的深度为200nm的外延锗，所述高Q值硅基微环光频率梳用于分频并提供多路信号加载，所述单波长可调谐激光器用于提供稳定的初始光源、所述光电探测模块用于将光信号转换为电信号。相较于传统硅光神经网络，所提出的网络架构涉及器件少，集成度高，对于实现高集成，全过程的硅光神经网络，具有重大意义。
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