公开(公告)号：CN117406052A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311323680.6

申请日：2023-10-13

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  华北电力大学

发明人： 孙帅 ,  李浩 ,  鲁燕青 ,  高凯 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  李学宝 ,  唐新灵 ,  周扬

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。

公开(公告)号：CN115621226A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211405483.4

申请日：2022-11-10

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司

发明人： 韩荣刚 ,  魏晓光 ,  代安琪 ,  曹博源 ,  王爽 ,  杜玉杰 ,  周扬 ,  王磊 ,  孙帅

IPC分类号： H01L23/427 ,  H01L23/48

摘要： 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块，半导体器件的封装结构用于安装芯片，包括：电极组件，电极组件与芯片的第一电极电性连接；电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接；传热组件包括第一传热端和第二传热端，第一传热端和第一电极部件固定连接，第二传热端和第二电极部件活动连接；或，第一传热端和第一电极部件活动连接，第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿，同时可以提升半导体器件的散热能力。

公开(公告)号：CN115662975A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211325118.2

申请日：2022-10-27

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 唐新灵 ,  魏晓光 ,  孙帅 ,  金锐 ,  王亮 ,  林仲康 ,  石浩 ,  杜玉杰

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16

摘要： 本发明提供了一种功率芯片封装结构，包括：相对设置的上板组件和下板组件；依次串联连接的第一互联单元、第三互联单元组和第二互联单元，均位于上板组件和下板组件之间，第三互联单元组包括至少一个第三互联单元；第一互联单元包括若干并联连接的第一芯片、第二互联单元包括若干并联连接的第二芯片、第三互联单元包括若干并联连接的第三芯片。本发明的功率芯片封装结构能够满足高电压大功率器件的要求。

公开(公告)号：CN115910985A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211405522.0

申请日：2022-11-10

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 魏晓光 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  代安琪 ,  杜玉杰 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  周扬 ,  王磊 ,  孙帅

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/24 ,  H01L23/64

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。

公开(公告)号：CN115910985B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202211405522.0

申请日：2022-11-10

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 魏晓光 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  王亮 ,  代安琪 ,  杜玉杰 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  周扬 ,  王磊 ,  孙帅

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/24 ,  H01L23/64

摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。

公开(公告)号：CN115763409A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211406272.2

申请日：2022-11-10

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 杜玉杰 ,  魏晓光 ,  孙帅 ,  代安琪 ,  唐新灵 ,  金锐

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了芯片电极引出结构及其封装结构、功率半导体器件模块，芯片电极引出结构包括：第一源极模块的第一侧面、第二源极模块的第一侧面、栅极模块的第一侧面、功率芯片的漏极均固定至漏极金属板的第一侧面上；第一源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为开尔文源极；第二源极模块的第二侧面与功率芯片的源极连接并引出，将引出的电极作为功率回路源极；栅极模块的第二侧面与功率芯片的栅极连接并引出。本发明实施例将功率芯片的三个电极引出，从而在后续的压接式封装中，在功率芯片不直接承受压力的同时，实现了压接式封装和短路失效。

公开(公告)号：CN111487520A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010345768.8

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 孙帅 ,  张喆 ,  吴军民 ,  金锐 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  王亮 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

公开(公告)号：CN104941429B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410112266.5

申请日：2014-03-25

申请人： 华北电力大学

发明人： 董长青 ,  陆强 ,  田伟强 ,  孙帅 ,  杨勇平

IPC分类号： B01D53/80 ,  B01D53/50

摘要： 本发明属于湿法烟气脱硫技术领域，具体涉及一种石灰石‑石膏湿法烟气脱硫添加剂，所述添加剂由生物质热解气化焦油水洗液组成，或由焦油水洗液与传统湿法脱硫添加剂中有机酸、有机酸盐、无机金属盐、活性剂、氧化剂中的任意一种或几种的组合混合而成的复合添加剂。本发明所述的添加剂能够有效的降低脱硫浆液中固‑液传质阻力、稳定浆液pH值，从而提高脱硫效率；此外，含有氧化剂的复合添加剂还能加速湿法脱硫产物（亚硫酸钙）的催化氧化，从而提高浆液中石灰石的反应速率，提高湿法脱硫副产品石膏的品质。

公开(公告)号：CN111487520B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010345768.8

申请日：2020-04-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 孙帅 ,  张喆 ,  吴军民 ,  金锐 ,  韩荣刚 ,  杜玉杰 ,  张西子 ,  王亮 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

公开(公告)号：CN113030608A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110207863.6

申请日：2021-02-24

申请人： 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 闫音蓓 ,  郑飞麟 ,  李恬晨 ,  范迦羽 ,  彭程 ,  李学宝 ,  赵志斌 ,  崔翔 ,  代安琪 ,  孙帅 ,  林仲康

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R1/04

摘要： 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置，所述实验装置包括：PCB板和功率器件测试电路；PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座；功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局；本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座，使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上，使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局，进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。