公开(公告)号：CN101399269B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810167725.4

申请日：2008-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林正堂 ,  张正宏 ,  王湘仪 ,  叶震南

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。

公开(公告)号：CN101414632B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810161098.3

申请日：2008-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  许育荣 ,  叶震南 ,  张正宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具有一第二宽度大于该第一宽度。该半导体结构还包括一栅极介电层，位于该鳍状半导体中间区的上表面与侧壁上；以及一栅极电极，位于该栅极介电层上。本发明可扩大半导体鳍式场效应晶体管的源极与漏极区，以及在不需提供更多芯片区域的价格前提下，降低源极与漏极区的电阻。

公开(公告)号：CN101752258A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910142924.4

申请日：2009-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  许育荣 ,  李陈毅 ,  洪士庭 ,  叶震南 ,  余振华

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部分以形成复合鳍片，其中复合鳍片包括硅鳍片与位在硅鳍片上的缩合硅锗鳍片。该方法更包括氧化硅鳍片的一部分，以及对缩合硅锗鳍片执行第二缩合。

公开(公告)号：CN101399269A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810167725.4

申请日：2008-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林正堂 ,  张正宏 ,  王湘仪 ,  叶震南

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。

公开(公告)号：CN1801464A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510092988.X

申请日：2005-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振诚 ,  张正宏 ,  黄玉莲 ,  郑双铭

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种半导体装置与半导体装置的制造方法，揭露许多不同半导体装置与半导体装置的相关制造技术。在一实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：提供一半导体基板与形成一金属硅化物于该半导体基板上。此外，该方法包括利用一包含氢/氮的复合物处理该金属硅化物的曝露表面以形成一处理层于该曝露表面上，其中该处理层的成分为阻碍该曝露表面的氧化作用。该方法还包括在该处理层和该金属复合物的曝露表面上沉积一介电质层。本发明能有效降低或消除半导体晶圆在排队等待下一处理步骤期间，发生于曝露金属硅化物元件上的氧化作用，从而改善硅化物焊垫与金属互连线间的电性连接。

公开(公告)号：CN101577278B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810175129.0

申请日：2008-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  余振华 ,  叶震南

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该结构包括一半导体衬底，一平面晶体管，位于半导体衬底的第一部分，其中半导体衬底的第一部分具有第一上表面。一多栅晶体管，位于半导体衬底的第二部分。半导体衬底的第二部分从第一上表面凹入，以形成多栅晶体管的鳍状物，且鳍状物借助一绝缘物与半导体衬底电性隔离。本发明降低了鳍式场效应晶体管的击穿电流、改善了鳍式场效应晶体管的载流子迁移率、以及降低了制作成本。

公开(公告)号：CN100466198C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510092988.X

申请日：2005-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振诚 ,  张正宏 ,  黄玉莲 ,  郑双铭

IPC: H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，揭露许多不同半导体装置与半导体装置的相关制造技术。在一实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：提供一半导体基板与形成一金属硅化物于该半导体基板上。此外，该方法包括利用一包含氢/氮的复合物处理该金属硅化物的曝露表面以形成一金属-硅-氮处理层于该曝露表面上，其中该金属-硅-氮处理层的成分为阻碍该曝露表面的氧化作用。该方法还包括在该金属-硅-氮处理层和该金属复合物的曝露表面上沉积一介电质层。本发明能有效降低或消除半导体晶圆在排队等待下一处理步骤期间，发生于曝露金属硅化物元件上的氧化作用，从而改善硅化物焊垫与金属互连线间的电性连接。

公开(公告)号：CN104037086B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201410140084.9

申请日：2007-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  余振华 ,  叶震南 ,  傅竹韵 ,  许育荣 ,  陈鼎元

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造鳍式场效应晶体管装置的方法，包括：提供基底，包括第一鳍和第二鳍；采用化学气相沉积工艺形成第一硅玻璃层于第一鳍上，第一硅玻璃层包括第一种类的杂质；在第一硅玻璃层和第二鳍上形成氧化层；提供第二种类的杂质；执行气相扩散工艺将第二种类的杂质扩散进入氧化层以形成掺杂层；之后，执行基底的高温处理工艺，通过固相扩散工艺提供将第一种类的杂质趋入到第一鳍中和将第二种类的杂质趋入到第二鳍中，使得第一鳍包括N型鳍式场效应晶体管装置的沟道，第二鳍包括P型鳍式场效应晶体管装置的沟道。本发明能够提供均一的掺杂分布而不产生阴影遮蔽效应，能够满足鳍式场效应晶体管装置的性能需求。

公开(公告)号：CN102738119B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN104037086A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410140084.9

申请日：2007-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张正宏 ,  余振华 ,  叶震南 ,  傅竹韵 ,  许育荣 ,  陈鼎元

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造鳍式场效应晶体管装置的方法，包括：提供基底，包括第一鳍和第二鳍；采用化学气相沉积工艺形成第一硅玻璃层于第一鳍上，第一硅玻璃层包括第一种类的杂质；在第一硅玻璃层和第二鳍上形成氧化层；提供第二种类的杂质；执行气相扩散工艺将第二种类的杂质扩散进入氧化层以形成掺杂层；之后，执行基底的高温处理工艺，通过固相扩散工艺提供将第一种类的杂质趋入到第一鳍中和将第二种类的杂质趋入到第二鳍中，使得第一鳍包括N型鳍式场效应晶体管装置的沟道，第二鳍包括P型鳍式场效应晶体管装置的沟道。本发明能够提供均一的掺杂分布而不产生阴影遮蔽效应，能够满足鳍式场效应晶体管装置的性能需求。