公开(公告)号：CN104600023B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410373394.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第导电部件和第二导电部件。在第导电部件上形成第硬掩模(HM)。在第和第二导电部件上方形成图案化的介电层,第开口暴露第二导电部件。在第开口中形成第金属插塞以与第导电部件接触。在第金属插塞上形成第二HM,并且在衬底上方形成另个图案化的介电层,第二开口暴露出第金属插塞与第导电部件的子集。在第二开口中形成第二金属插塞。

公开(公告)号：CN104600023A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410373394.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/7688 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体集成电路(IC)的方法。提供了第一导电部件和第二导电部件。在第一导电部件上形成第一硬掩模(HM)。在第一和第二导电部件上方形成图案化的介电层，第一开口暴露第二导电部件。在第一开口中形成第一金属插塞以与第一导电部件接触。在第一金属插塞上形成第二HM，并且在衬底上方形成另一个图案化的介电层，第二开口暴露出第一金属插塞与第一导电部件的子集。在第二开口中形成第二金属插塞。

公开(公告)号：CN104037122B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310451248.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  赖志明 ,  谢艮轩 ,  高蔡胜 ,  刘如淦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供了一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括在围绕至少一个栅电极的第一介电层内形成第一层接触件，第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂区域。所述方法进一步包括在第一介电层上方形成第二介电层，并且形成延伸穿过第二介电层至第一层接触件的第二层接触件。

公开(公告)号：CN104576534A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410010730.X

申请日：2014-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  林宗桦 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

公开(公告)号：CN104576534B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201410010730.X

申请日：2014-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  林宗桦 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明公开了制造鳍式场效应晶体管器件的方法。该方法包括在衬底上方形成芯轴部件，以及实施第一切割去除芯轴部件以形成第一间隔。该方法还包括实施第二切割去除芯轴部件的一部分以形成线端和端部与端部间间隔。在第一切割和第二切割之后，使用具有第一间隔和端部与端部间间隔的芯轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻衬底，以形成鳍。沉积间隔件层以完全填充在相邻鳍之间的间隔中，并覆盖与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍的侧壁。蚀刻间隔件层以在与第一间隔和端部与端部间间隔相邻的鳍上形成侧壁间隔件，以及在第一间隔和端部与端部间间隔中形成隔离沟槽。

公开(公告)号：CN104037122A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310451248.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  曾文弘 ,  赖志明 ,  谢艮轩 ,  高蔡胜 ,  刘如淦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供了一种用于在半导体器件内形成金属接触件的方法，所述方法包括在围绕至少一个栅电极的第一介电层内形成第一层接触件，第一层接触件延伸至底部衬底的掺杂区域。所述方法进一步包括在第一介电层上方形成第二介电层，并且形成延伸穿过第二介电层至第一层接触件的第二层接触件。