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公开(公告)号：CN101436062A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810172710.7
申请日：2008-11-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32187 , G05B2219/32188 , G05B2219/32194 , Y02P90/22 , Y10S430/146
摘要： 一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。
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公开(公告)号：CN101504543B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810181222.2
申请日：2008-11-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。
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公开(公告)号：CN101299150B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710163203.2
申请日：2007-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/048 , H01L21/00
CPC分类号： H01L22/20 , G01N21/9501 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。
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公开(公告)号：CN102244032B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010250743.6
申请日：2010-08-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49883 , H01L23/525 , H01L23/5328 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/13009 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该方法包括如下步骤：在一介电板上印制多个导电图案，以形成一预制墨印板，且将预制墨印板接合至一基底的一侧。导电特征部件包括一基底通孔电极自基底的一第一侧延伸至基底的一第二侧，其相对于第一侧。涂覆一导电材料，以将导电图案电性耦接至基底的导电特征部件。本发明的半导体装置的晶片及芯片内不会因形成内连线结构而产生热致应力。
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公开(公告)号：CN102244032A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010250743.6
申请日：2010-08-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49883 , H01L23/525 , H01L23/5328 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/13009 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该方法包括如下步骤：在一介电板上印制多个导电图案，以形成一预制墨印板，且将预制墨印板接合至一基底的一侧。导电特征部件包括一基底通孔电极自基底的一第一侧延伸至基底的一第二侧，其相对于第一侧。涂覆一导电材料，以将导电图案电性耦接至基底的导电特征部件。本发明的半导体装置的晶片及芯片内不会因形成内连线结构而产生热致应力。
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公开(公告)号：CN101504543A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810181222.2
申请日：2008-11-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。
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公开(公告)号：CN100451888C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610058266.7
申请日：2006-02-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/048 , G05B19/02 , H01L21/66
CPC分类号： G05B23/0297
摘要： 本发明提供一种用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，该方法包括下列步骤：根据一制程设备相关的生产数据，以替一虚拟感测系统选取重要硬件参数；以及收集关于该制程设备的生产数据。该方法更包括下列步骤：于多个的半导体产品生产时，动态地维持该虚拟感测系统；以及运用该虚拟感测系统以及收集的该生产数据以预测一半导体产品经由该制程设备处理后的情况。本发明所述的用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，提供一对于晶圆生产进行监控与控制的方式，以增进效率并降低成本。
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公开(公告)号：CN101299150A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710163203.2
申请日：2007-10-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/048 , H01L21/00
CPC分类号： H01L22/20 , G01N21/9501 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。
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公开(公告)号：CN101436062B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN200810172710.7
申请日：2008-11-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32187 , G05B2219/32188 , G05B2219/32194 , Y02P90/22 , Y10S430/146
摘要： 一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。
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