公开(公告)号：CN115642111A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211415076.1

申请日：2019-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林资程 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  王咏生 ,  彭旸尹

IPC分类号： H01L21/67 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

摘要： 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。

公开(公告)号：CN102438391B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110306800.2

申请日：2007-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈映霖 ,  高季安 ,  陈柏仁 ,  萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

摘要： 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动，因此，可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。

公开(公告)号：CN101630629B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810192972.X

申请日：2008-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 何明哲 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  B24B29/00 ,  B24B37/04 ,  B24B55/00

CPC分类号： B24B37/015 ,  B24B55/02

摘要： 一种用于在晶片上加工集成电路的方法，其包括提供设备供应的室温溶液；将所述设备供应的室温溶液的温度控制到期望的温度设定点，以得到清洗溶液；以及使用所述清洗溶液清洗抛光垫。接着通过化学机械抛光工艺对晶片进行抛光。

公开(公告)号：CN100560784C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610152331.2

申请日：2006-09-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

摘要： 一种侦测制程机台使用的消耗性材料厚板寿命的系统及方法。提供消耗性材料厚板，其具有至少一指示器。操作制程机台时，通过连接于该指示器的侦测器产生的信号数值判定其是否等于警示设定数值、介于警示设定数值和警报设定数值间、等于警报设定数值或超出警报设定数值。若信号数值等于警示设定数值或介于警示设定数值和警报设定数值间，提供第一警示，表示消耗性材料厚板接近预定量，该预定量小于消耗性材料厚板原本的量。若信号数值介于警示设定数值和警报设定数值间，提供第二警示，表示消耗性材料厚板接近预定量。若信号数值等于或超过警报设定数值，提供警报，表示消耗性材料厚板接近预定量或减少至预定量。本发明可最佳化靶材的利用。

公开(公告)号：CN100416796C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN110660702A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910567654.5

申请日：2019-06-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林资程 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  王咏生 ,  彭旸尹

IPC分类号： H01L21/67 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。

公开(公告)号：CN101150910B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200710085457.7

申请日：2007-03-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈映霖 ,  高季安 ,  陈柏仁 ,  萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  许呈锵

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321

摘要： 本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或频率所驱动，因此，可调式上电极及上线圈可使压力反应室中的等离子体密度分布可选择地被控制。

公开(公告)号：CN102593019A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110229006.2

申请日：2011-08-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  张文耀 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81098 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13139

摘要： 在一种回流工艺中，将第一工作件和第二工作件之间的多个焊料凸块加热到熔化状态。在多个焊料凸块的固化阶段期间，在第一冷却率下将多个焊料凸块冷却。在完成固化阶段之后，在第二冷却率下将多个焊料凸块冷却，第二冷却率低于第一冷却率。本发明还公开了一种用于降低封装失效率的焊料接点回流工艺。

公开(公告)号：CN102176409A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110094561.9

申请日：2009-06-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧义理 ,  余振华 ,  汪青蓉 ,  何明哲 ,  黄见翎 ,  洪瑞斌

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/673

CPC分类号： H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  Y10S414/135

摘要： 一种半导体制造、处理及界面系统、容器、承载器及吸附装置。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及传送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中。一环境控制槽以及空气循环系统耦接着该封装室。本发明可以使晶片不再暴露于不良环境之中，从而提高了晶片的制造效率及产品质量。

公开(公告)号：CN101447400A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810169259.3

申请日：2008-10-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  洪瑞斌 ,  吴文进 ,  汪青蓉 ,  邱文智

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/67051 ,  H01L24/28 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19042 ,  Y10T156/14 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种芯片－晶圆接合装置，包括清洁组件，用以清洗芯片；芯片－晶圆接合室，用以接受清洁组件的芯片，并将芯片接合到晶圆上。本发明还提供一种利用此接合装置的芯片－晶圆接合方法。本发明具有无氧环境，高接合率及/或其他芯片－晶圆接合程序的优点。