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公开(公告)号：CN103348044A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280008017.0
申请日：2012-03-02
申请人： 株式会社德山 , 国立大学法人山口大学
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S2304/12 , Y10T428/2457
摘要： 本发明提供以穿透位错密度低的具有高结晶性的GaN晶体的a面：＜11-20＞面、m面：＜1-100＞面为主面的基板或以＜11-22＞面为主面的基板等在蓝宝石基底基板上层叠有多种面取向的面的GaN晶体层叠基板及其制造方法。所述氮化镓晶体层叠基板包含蓝宝石基底基板、及通过在该基板上结晶生长而形成的氮化镓晶体层，该氮化镓晶体层从形成在蓝宝石基底基板主面的多个槽部的例如由c面构成的侧壁进行横向结晶生长，从而该氮化镓晶体层的表面平行于该主面地形成，该表面包含a面、m面等非极化面、＜11-22＞面等半极化面，且该氮化镓晶体的暗点密度小于2×108个/cm2、优选为1.85×108个/cm2以下、特别优选为1.4×108个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN103154332B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280003251.4
申请日：2012-01-26
申请人： 国立大学法人山口大学 , 株式会社德山
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。
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公开(公告)号：CN103154332A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003251.4
申请日：2012-01-26
申请人： 国立大学法人山口大学 , 株式会社德山
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。
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公开(公告)号：CN101528639A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039758.4
申请日：2007-10-22
申请人： 株式会社德山
CPC分类号： C04B37/025 , C04B35/581 , C04B35/6263 , C04B35/632 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B37/026 , C04B2235/3208 , C04B2235/3222 , C04B2235/3895 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , C04B2235/9653 , C04B2237/08 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , Y10T428/13 , Y10T428/1359
摘要： 本发明其特征在于，其为制造包含由氮化铝烧结体构成的部件和高熔点金属部件的接合体的方法，其中，该方法包括以下工序：工序(I)，在前述由氮化铝烧结体构成的部件的接合预定面上形成氮化铝的多孔质层；工序(II)，将含有氮化铝和高熔点金属的混合糊剂，于前述氮化铝的多孔质层和前述高熔点金属部件的接合预定面之间，以含浸于该多孔质层的状态夹设，并将该混合糊剂中的氮化铝和高熔点金属烧结。
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公开(公告)号：CN116261486A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202180068155.7
申请日：2021-10-08
申请人： 株式会社德山
IPC分类号： B01J23/30
摘要： 本发明的课题在于提供可以作为析氧反应用催化剂使用的催化活性高的化合物。一种钨氧化物，以NixFe1‑xWO4(其中，0＜x＜1)表示。一种用于阳极或正极的析氧反应用催化剂，含有前述钨氧化物。一种电解槽，具备由离子透过性隔膜区划的阳极室和阴极室，在前述阳极室中配置有阳极，在前述阴极室中配置有阴极，其中，在前述阳极上载持有以NixFe1‑xWO4(其中，0＜x＜1)表示的钨氧化物作为催化剂。
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公开(公告)号：CN102639764A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054275.3
申请日：2010-11-29
申请人： 国立大学法人东北大学 , 株式会社德山
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/00 , C30B23/007 , C30B25/00 , C30B29/62
摘要： 本发明提供一种能够更有效、简便地制造结晶性良好的氮化铝单晶的方法。本发明的氮化铝单晶的制造方法，在发生铝气体或氧化铝气体的原料气体发生源与碳成型体存在的条件下使氮气流通，在加热环境中使氮化铝单晶生长，其特征在于，碳成型体的至少一部分不与原料气体发生源直接接触，原料气体的至少一部分不与碳成型体直接接触；在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间存在有0.01～50mm的间隔的空间，以这样的配置对原料气体发生源和碳成型体进行配置；在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间的空间内，设定加热温度和氮气流量以满足析出氮化铝的条件。
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公开(公告)号：CN101600671A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880003773.8
申请日：2008-02-04
申请人： 株式会社德山
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B2235/3208 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C30B23/00 , C30B29/403
摘要： 本发明提供一种高纯度氮化铝烧结体，其在氮化铝烧结体制造时，有效地除去原料粉末中所含的氧化物，且通过原料粉末中所含的氧化物与烧结助剂反应来防止生成的复合氧化物残留在氮化铝烧结体中。一种氮化铝烧结体，其除去附着氧的残留氧浓度为350ppm以下。
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公开(公告)号：CN101528638A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039778.1
申请日：2007-11-26
申请人： 株式会社德山
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B37/005 , C04B2237/064 , C04B2237/366
摘要： 本发明的氮化铝接合体的制造方法是将氮化铝烧结体彼此接合而成的氮化铝接合体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在接合面上形成有氧化铝层的两个前述氮化铝烧结体处于前述接合面相对并且在前述接合面之间存在包含碱土金属化合物的糊剂层的状态下，在1300～1700℃的温度下加热，将前述氮化铝烧结体彼此接合。
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公开(公告)号：CN100432024C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480038941.9
申请日：2004-10-28
申请人： 株式会社德山
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B37/005 , B32B18/00 , B32B2315/02 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B37/003 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/122 , C04B2237/366 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/708 , Y10T428/12736
摘要： 本发明提供接合构造体，涉及在半导体制造方法中，作为半导体晶圆片保持用的静电夹盘的氮化铝接合体，其由经由烧结金属层接合的氮化铝烧结体形成，作为上述用途使用时，可均一进行半导体晶圆片的吸附处理。接合面的至少一部分形成有由厚度15～100μm的钨或钼组成的烧结金属层的2个氮化铝烧结体的接合体，是上述烧结金属层的薄片电阻率在1Ω/□以下，且上述烧结金属层的翘曲100μm/100mm以下，且上述接合面中的该烧结金属层和氮化铝烧结体之间的剪切强度为4kg/mm2以上的氮化铝烧结体。
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公开(公告)号：CN1898183A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038941.9
申请日：2004-10-28
申请人： 株式会社德山
IPC分类号： C04B37/00
CPC分类号： C04B37/005 , B32B18/00 , B32B2315/02 , C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B37/003 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/661 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/122 , C04B2237/366 , C04B2237/64 , C04B2237/66 , C04B2237/708 , Y10T428/12736
摘要： 本发明提供接合构造体，涉及在半导体制造方法中，作为半导体晶圆片保持用的静电夹盘的氮化铝接合体，其由经由烧结金属层接合的氮化铝烧结体形成，作为上述用途使用时，可均一进行半导体晶圆片的吸附处理。接合面的至少一部分形成有由厚度15～100μm的钨或钼组成的烧结金属层的2个氮化铝烧结体的接合体，是上述烧结金属层的薄片电阻率在1Ω/□以下，且上述烧结金属层的翘曲100μm/100mm以下，且上述接合面中的该烧结金属层和氮化铝烧结体之间的剪切强度为4kg/mm2以上的氮化铝烧结体。
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