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公开(公告)号：CN105047542B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN106611705A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02107 , H01L21/0223 , H01L21/02236 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106611696A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510686428.0
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/0223 , H01L21/02312 , H01L21/02315
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氮等离子体处理；3)高温下氩气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN104599960A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410838312.X
申请日：2014-12-29
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/38 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种大功率电力电子器件芯片的切割方法，该方法对宽禁带半导体材料做成器件的衬底背面进行激光划片后，再根据背面划痕使用裂片机进行正面裂片。背面划痕的深度约为芯片厚度的1/10至1/4。本发明是使用激光束聚焦切割的方法，采取背划进行激光束切割大功率器件，最大限度地保证芯片正面的有源区，不破坏正面区域，得到边缘整齐的器件，对大面积芯片的可靠性和产能都有一个很大提升。
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公开(公告)号：CN103715070A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310744182.9
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/203 , B81C1/00 , C23C14/35
CPC分类号： H01L21/02658 , B81C1/00349 , C23C14/35 , H01L21/02529
摘要： 本发明涉及一种器件制作工艺，具体涉及一种带胶磁控溅射厚膜的方法。该方法包括依次进行的基片清洗、基片光刻、基片打底胶、周期性沉积厚膜和剥离步骤，所述周期性沉积厚膜指的是一个周期内进行高功率快速磁控溅射薄膜和低功率慢速沉积薄膜，在进行周期性沉积厚膜时通过交替控制磁控溅射的功率，获得带胶磁控溅射厚膜的基片。本发明改变了以往只采用同一功率磁控溅射厚膜的工艺，从而有效的解决了光刻胶因受热碳化或变形的问题，该方法可以有效高速便捷的获得高质量带胶磁控溅射厚膜的基片。解决电镀法环境污染严重和热蒸发沉积薄膜质量差的问题，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。
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公开(公告)号：CN103681246A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310744030.9
申请日：2013-12-30
CPC分类号： H01L21/02054 , B08B3/08 , B08B3/12 , H01L21/02252 , H01L21/02315
摘要： 本发明涉及SiC器件的制作工艺，具体涉及一种SiC材料清洗方法。该方法包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗，关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它含氧混合等离子体气体。本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题，可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜，该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。
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公开(公告)号：CN106611705B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685998.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106996995A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610045067.6
申请日：2016-01-22
CPC分类号： G01R1/06722 , G01R31/2886
摘要： 本发明提供的一种柔性探针，探针包括支撑臂、柔性接触探针及柔性连接点，柔性可固定连接或可拆卸，柔性接触探针为二维或三维结构；柔性接触探针为烟斗状或汤匙状且其空间体积为1μm3～0.1m3。本发明提供的探针带有可固定、可拆卸的柔性接触点，便于更换受损的探针；采用二维或三维结构的烟斗状或汤匙状结构，替换现有技术中的一维点接触结构的探针，能避免在芯片测试过程中损伤芯片表面金属层及损毁电器件；该探针与芯片电极接触面大，能在大电流器件测试过程中使电流分布更均匀，避免一维点状探针尖端带电打火烧毁器件，显著提高了电器件芯片级测试过程的安全性。
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公开(公告)号：CN105609481A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510967719.7
申请日：2015-12-21
CPC分类号： H01L23/49 , H01L21/4889
摘要： 本发明提供一种新型封装及其制造方法，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。所述制造方法包括：1)制作含有pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的压焊模型；2)螺旋缠绕pad区域(11)、发射状压焊条(12)和环状压焊条(13)的拉线形成引线。本发明新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN103715065A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310744241.2
申请日：2013-12-30
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0445
摘要： 本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，关键的工艺改进是干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合。本发明改变了以往只采用湿法腐蚀掩膜层工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的SiC刻蚀形貌。
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