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公开(公告)号：CN100479109C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510077566.5
申请日：2002-03-28
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192
摘要： 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。
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公开(公告)号：CN100405557C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03800685.5
申请日：2003-07-03
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
摘要： 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。
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公开(公告)号：CN1210768C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02800920.7
申请日：2002-03-28
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要： 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。
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公开(公告)号：CN1502121A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807489.0
申请日：2002-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/511 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
摘要： 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。
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公开(公告)号：CN1460285A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02800918.5
申请日：2002-03-28
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要： 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。
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公开(公告)号：CN1630030B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410098703.9
申请日：2002-03-28
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/50
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
摘要： 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。
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公开(公告)号：CN100524652C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN02803238.1
申请日：2002-07-03
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/3003 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78603
摘要： 一种基片处理装置，它具有：处理空间，设有用于支承被处理基片的支承台；氢催化部件，与所述被处理基片正对着设置在所述处理空间中，用于将氢分子分解成氢基H*；气体供给口，设置在所述处理空间内、相对于所述氢催化部件与所述被处理基片正对的一侧，用于导入至少含有氢气的处理气体；其中，将所述氢催化部件和所述支承台上的被处理基片之间的间隔，设定在所述氢基H*能够到达的距离以内。
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公开(公告)号：CN101005011A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710003265.7
申请日：2002-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。
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公开(公告)号：CN1795546A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200480014164.4
申请日：2004-05-19
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/0245 , C23C16/26 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/3127
摘要： 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行所述被处理基板的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。
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公开(公告)号：CN1242656C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02807326.6
申请日：2002-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
摘要： 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。
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