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公开(公告)号：CN103548119B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280024155.8
申请日：2012-05-30
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4975 , H01L21/0485 , H01L21/24 , H01L21/244 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。
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公开(公告)号：CN104126219A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201380010206.6
申请日：2013-02-20
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/2855 , H01L29/0619 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： 本发明的方法对SiC基板(1)上的包含镍和钛的层进行加热以形成包含碳化钛的硅化镍层(4)，包含镍和钛的层使用蒸镀或溅射来形成，通过1100℃以上1350℃以下的加热来生成硅化镍层(4)。此时，在升温速度10℃/分钟以上1350℃/分钟以下、加热保持时间0分钟以上120分钟以下的条件下进行。利用这些加热条件，能够得到背面接触电阻足够低、且均匀的SiC半导体器件用背面电极(8)。
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公开(公告)号：CN105308722B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480028190.6
申请日：2014-11-07
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , C23C14/14 , H01L21/285 , H01L29/41
CPC分类号： H01L29/45 , C23C14/185 , H01L21/0485 , H01L29/1608
摘要： 在SiC晶片的背面依次形成钛层和镍层。接下来，通过高温热处理对SiC晶片进行加热而将钛层和镍层烧结，形成包含碳化钛的硅化镍层。通过该高温热处理，从而形成SiC晶片与硅化镍层的欧姆接触。其后，形成在硅化镍层上依次层叠有钛层、镍层和金层而成的背面电极层叠体。此时，在形成构成背面电极层叠体的镍层时，在将镍层的厚度记为x[nm]，将镍层的成膜速度记为y[nm/秒]时，以满足0.0＜y＜‑0.0013x+2.0的条件形成镍层。由此，能够抑制背面电极剥离。
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公开(公告)号：CN104272442B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380018966.1
申请日：2013-03-14
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/0495 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/2855 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 在SiC基板(11)的正面形成包含钛、钨、钼、铬中的任一种金属的层，通过加热在SiC基板(11)上形成肖特基电极(16)。利用铝或者含硅的铝，在肖特基电极(16)的表面形成表面电极(17)。在形成表面电极(17)时，以100℃以上500℃以下的温度进行加热，因此表面电极(17)对于肖特基电极(16)的凹凸覆盖良好，表面电极(17)还具有适合于自动引线接合装置进行图像识别的反射率。如此一来，能够形成对肖特基接触的凹凸覆盖良好、并且具有最适于定位等图像识别的反射率的表面电极。
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公开(公告)号：CN105453228B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480044578.5
申请日：2014-08-08
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L21/0475 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
摘要： 首先，在n+型SiC基板(1)的正面上生长n‑型SiC外延层(2)。这时，在n+型SiC基板(1)的背面上也生长背面侧n‑型SiC升华层。接下来，通过磨削除去背面侧n‑型SiC升华层和n+型SiC基板(1)的背面的表面层。接下来，对在n+型SiC基板(1)的磨削后的背面的表面层产生的变质层进行化学机械研磨。接下来，在n+型SiC基板(1)的研磨后的背面形成镍膜。接下来，通过热处理使镍膜硅化而形成硅化镍层。接下来，在硅化镍层的表面上，依次堆叠钛膜、镍膜和银膜而形成背面电极。通过进行以上工序，能够抑制背面电极剥离。
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公开(公告)号：CN104126219B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380010206.6
申请日：2013-02-20
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0485 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/2855 , H01L29/0619 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： 本发明的方法对SiC基板(1)上的包含镍和钛的层进行加热以形成包含碳化钛的硅化镍层(4)，包含镍和钛的层使用蒸镀或溅射来形成，通过1100℃以上1350℃以下的加热来生成硅化镍层(4)。此时，在升温速度10℃/分钟以上1350℃/分钟以下、加热保持时间0分钟以上120分钟以下的条件下进行。利用这些加热条件，能够得到背面接触电阻足够低、且均匀的SiC半导体器件用背面电极(8)。
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公开(公告)号：CN105765698A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480061687.8
申请日：2014-11-12
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
摘要： 在n型SiC基板(1)的背面形成欧姆电极(8)时，通过离子注入在n型外延基板的背面的表面层形成n+型半导体区(7)。在该离子注入中，以30keV以上且150keV以下的范围的加速能量注入n型杂质，以使n+型半导体区(7)的杂质浓度成为1×1019/cm3以上且8×1020/cm3以下，优选成为4×1020/cm3以下，且使n+型半导体区(7)的厚度成为200nm以下的程度。然后，在n+型半导体区(7)的表面依次形成镍层和钛层，并通过热处理对镍层进行硅化而形成由硅化镍构成的欧姆电极(8)。据此，能够抑制背面电极剥离，并能够形成具有良好的特性的背面电极。
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公开(公告)号：CN104272442A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380018966.1
申请日：2013-03-14
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L21/0495 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/2855 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 在SiC基板(11)的正面形成包含钛、钨、钼、铬中的任一种金属的层，通过加热在SiC基板(11)上形成肖特基电极(16)。利用铝或者含硅的铝，在肖特基电极(16)的表面形成表面电极(17)。在形成表面电极(17)时，以100℃以上500℃以下的温度进行加热，因此表面电极(17)对于肖特基电极(16)的凹凸覆盖良好，表面电极(17)还具有适合于自动引线接合装置进行图像识别的反射率。如此一来，能够形成对肖特基接触的凹凸覆盖良好、并且具有最适于定位等图像识别的反射率的表面电极。
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公开(公告)号：CN103548119A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024155.8
申请日：2012-05-30
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 今井文一
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4975 , H01L21/0485 , H01L21/24 , H01L21/244 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。
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公开(公告)号：CN107204363A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710050026.0
申请日：2017-01-23
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L21/02529 , H01L21/0485 , H01L21/324 , H01L21/76895 , H01L23/535 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/7827 , H01L29/401 , H01L29/42356
摘要： 本发明提供能获得良好元件特性的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在以覆盖层间绝缘膜(8)的方式形成氮化钛膜(9)后，以沿着氮化钛膜(9)上延伸的方式在露出于接触孔(8a)的碳化硅基体(20)的正面上形成第一镍膜(31)。接着通过800℃～1100℃温度的高速热处理(32)使碳化硅基体(20)与第一镍膜(31)反应而形成构成欧姆接触的硅化镍膜。另外通过该高速热处理(32)使氮化钛膜(9)的晶粒变大，使氮化钛膜(9)的晶粒直径为20nm～50nm。由此使氮化钛膜(9)的晶粒间的间隙比高速热处理(32)前的状态窄或消除间隙，因此能抑制镍从第一镍膜(31)侵入到氮化钛膜(9)的柱状晶粒间。
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