公开(公告)号：CN101106115A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710084483.8

申请日：2007-03-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧野豊 ,  冈本九弘 ,  栗田行树

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中当通过化学镀方法在由铝－硅(Al－Si)制成的电极焊盘上形成镍(Ni)层时，在沉淀作为催化剂的锌(Zn)之前，以不连续点或岛的形式在电极焊盘的表面上形成铜(Cu)，从而设置薄铜(Cu)层。

公开(公告)号：CN101150102A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710146867.8

申请日：2007-08-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 栗田行树 ,  井川治

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/433 ,  H01L24/28 ,  H01L24/31 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，其中在切割出半导体芯片之后，将In－10原子％Ag球置于金属膜上。接下来，将加强件上的环氧板粘贴到陶瓷衬底上。此时，In合金球夹在中央突出部分与金属膜之间。随后，通过加热、熔化、并随后冷却In合金球，In合金球由此形成In合金膜。结果，经由上述金属膜和In合金膜将半导体芯片与散热器相接合。