公开(公告)号：CN108400086A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810083233.0

申请日：2018-01-29

申请人： 格芯公司

发明人： 马克塔·G·法罗 ,  坦雅·A·安塔哪莎瓦

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明涉及形成用于接合晶圆的集成电路结构的方法及所产生的结构，其针对用于接合晶圆的集成电路结构及其形成方法。该IC结构可包括：位在衬底上方的金属柱，该金属柱包括上表面；位在该金属柱的该上表面的周缘周遭的湿化抑制剂层；以及位在该金属柱的该上表面上方的焊接材料，该焊接材料位在该湿化抑制剂层内并且受其限制。该金属柱的侧壁可无该焊接材料。该方法可包括：形成位在衬底上方的金属柱，该金属柱具有上表面；形成位在该金属柱的该上表面的周缘周遭的湿化抑制剂层；以及形成位在该湿化抑制剂层内并且受其限制的该金属柱的该上表面上方的焊接材料。

公开(公告)号：CN105316711B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201510458355.X

申请日：2015-07-30

申请人： APCT株式会社

发明人： 高政佑 ,  吳政勋 ,  朴奎镔 ,  朴贤国 ,  丁兴琇

IPC分类号： C25D3/32

CPC分类号： H01L24/11 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/60 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/123 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及包含全氟烷基表面活性剂的焊料凸点用锡合金电镀液。本发明的锡合金电镀液是用于形成倒装芯片封装的焊料凸点的锡类电镀液，所述锡类电镀液包含甲磺酸锡、甲磺酸银、甲磺酸、氟化表面活性剂、芳香族聚氧亚烷基醚和水。本发明还公开了使用所述电镀液形成焊料凸点的方法。该方法包括：(1)用铜或铜/镍电镀液电镀硅晶片，所述硅晶片具有露出电极焊盘的保护层和凸点下金属(UBM)层，从而在所述凸点下金属层上形成铜或铜/镍柱；和(2)用所述锡类电镀液电镀所述柱，从而形成焊料凸点。

公开(公告)号：CN104576599B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410454274.8

申请日：2014-09-09

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  洪建州

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08265 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开一种半导体结构。半导体结构包括：基底；第一钝化层，设置于所述基底上；导电垫，设置于所述第一钝化层上；第二钝化层，设置于所述第一钝化层上；被动元件，设置于所述导电垫上，并穿过所述第二钝化层；以及有机可焊性保护膜，覆盖所述被动元件。本发明所公开的半导体结构，有机可焊性保护膜可以防止表面效应的发生，此外，能够减小电阻并具有较高的品质因数。

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： M·J·塞登 ,  F·J·卡尼

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/683 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/8681 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2224/48

摘要： 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

公开(公告)号：CN103325819B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310053001.8

申请日：2013-02-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 宇佐美达矢 ,  中村朝至 ,  藤本直树

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：含有Si、O、C和H的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘膜上的且含有Ni的凸块下金属膜；以及设置在所述凸块下金属膜之上的凸块电极。在所述层间绝缘膜中，波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高与波数1030cm‑1附近的Si‑O的峰高的比值为大于等于0.15且小于等于0.27。波数1360cm‑1附近的Si‑CH2‑Si的峰高与波数1270cm‑1附近的Si‑CH3的峰高的比值大于等于0.031，所述比值通过傅里叶变换红外光谱FTIR获得。

公开(公告)号：CN107109309A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680006678.8

申请日：2016-01-05

申请人： 戴纳洛伊有限责任公司

发明人： T.W.阿克拉 ,  R.D.彼得斯 ,  K.D.波拉 ,  D.J.普菲谢尔

IPC分类号： C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  B01F17/18

CPC分类号： C11D7/3209 ,  C11D3/2068 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本公开涉及用于从基板上除去物质的溶液和方法。任选地，该物质可包括在半导体晶片上的光致抗蚀剂。该溶液可包含氢氧化季铵、第一胺、第二胺和第三胺，其中胺总量不大于该溶液的总重量的大约95重量%。另外，溶液可包含至少一种胺、氢氧化季铵和水并且不含非水的极性溶剂，其中该溶液具有不大于大约60厘泊的动态粘度。

公开(公告)号：CN102820284B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201210177169.5

申请日：2012-05-31

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  南正树

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/1464 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：半导体元件、形成在所述半导体元件上的连接电极以及形成在所述半导体元件上的对准标记。至少一个所述对准标记是由磁性材料制成的。本发明提高了设置有半导体器件时的定位精确度，并且改善了半导体器件的电极连接的可靠性。

公开(公告)号：CN106711140A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610723801.X

申请日：2016-08-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 潘信瑜 ,  普翰屏 ,  曹佩华 ,  徐语晨

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121

摘要： 示例性半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括功能电路区和通过缓冲区与功能电路区间隔开的密封环的第一部分。器件还包括在互连结构上方的钝化层和在钝化层上方并且连接密封环的第一部分的密封环的第二部分。密封环的第二部分设置在缓冲区中。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104051381B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410095447.1

申请日：2014-03-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·L·阿文 ,  陆珉华 ,  E·D·珀费科托 ,  K·W·塞姆扣 ,  T·A·瓦西克

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3656 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了用于改善电迁移的球下金属结构及其形成方法。一种互连结构包括其中具有电部件的衬底以及与用于所述衬底中的电部件的接触焊盘相接触的凸点下金属结构(UBM)叠层。该UBM叠层包括与用于所述电部件的接触焊盘直接接触的金属粘合层、与该金属粘合层直接接触的铜(Cu)种子层、与所述铜(Cu)种子层直接接触的第一镍(Ni)阻挡层、以及具有位于所述第一镍(Ni)阻挡层上的至少一个铜(Cu)导体层和至少一个第二镍(Ni)阻挡层的分层结构。焊料球可以位于第二镍(Ni)阻挡层上。

公开(公告)号：CN103026476B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201180033313.1

申请日：2011-06-23

申请人： 安美特德国有限公司

发明人： K-J.马特雅特 ,  S.兰普雷希特 ,  I.埃沃特

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： B23K31/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 描述了一种在衬底上形成焊料合金沉积的方法，其包括下述步骤：i) 提供包括表面承载电路的衬底，所述表面承载电路包括至少一个内层接触焊盘，ii) 形成焊料掩模层，所述焊料掩模层被置于所述衬底表面上并且被图案化以暴露所述至少一个接触区域，iii) 使包括所述焊料掩模层和所述至少一个接触区域的整个衬底区域与适于在所述衬底表面上提供金属种层的溶液相接触，iv) 在所述金属种层上形成结构化的抗蚀剂层，v) 将含有锡的第一焊料材料层电镀到所述导电层上，vi)将第二焊料材料层电镀到所述第一焊料材料层上，vii) 去除所述结构化的抗蚀剂层，并且蚀刻掉一定量的金属种层，其足以将所述金属种层从所述焊料掩模层区域去除，以及对所述衬底进行回流，并且在这样做时根据所述金属种层、第一焊料材料层和第二焊料材料层形成焊料合金沉积。