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    光源装置及显示器
    1.
    发明公开
    光源装置及显示器 无效

    公开(公告)号：CN111986565A

    公开(公告)日：2020-11-24

    申请号：CN201910426016.1

    申请日：2019-05-21

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 林新强 ,  林厚德 ,  张超雄 ,  陈隆欣 ,  陈滨全 ,  曾文良

    IPC分类号： G09F9/30 ,  G02F1/13357

    摘要： 本发明公开了一种光源装置，包括至少一发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括一封装基板、一第一发光二极管晶粒、一第二发光二极管晶粒以及一封装层。所述第一发光二极管晶粒用于发射一第一光束，所述第一光束频带的半高宽为30～40nm；所述第二发光二极管晶粒用于发射一第二光束，所述第二光束频带的半高宽为30～40nm；所述封装层包括波长转换材料，所述波长转换材料用于受所述第一光束以及所述第二光束激发后产生一第三光束，所述第三光束频带的半高宽为10～50nm。本发明提供的光源装置颜色对比度高，能够提高消费者的使用体验。本发明还提供一种包括所述光源装置的显示器。

    发光二极管芯片
    3.
    发明授权
    发光二极管芯片 有权

    公开(公告)号：CN103367591B

    公开(公告)日：2016-02-10

    申请号：CN201210100995.X

    申请日：2012-04-09

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 林新强 ,  陈滨全

    IPC分类号： H01L33/38

    CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44

    摘要： 一种发光二极管芯片，包括半导体发光层，该半导体发光层包括N型半导体层、P型半导体层、位于P型半导体层及N型半导体层之间的主动层、电连接P型半导体层的P型电极以及电连接N型半导体层的N型电极，该发光二极管芯片包括主出光面及与该主出光面相对的接合面，还包括第一电极层及第二电极层，该第一电极层连接该N型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第二电极层连接该P型电极并延伸至半导体发光层的接合面，该第一电极层与P型半导体层及主动层保持隔开，第二电极层与N型半导体层及主动层保持隔开。

    LED封装结构
    5.
    发明授权
    LED封装结构 有权

    公开(公告)号：CN102683542B

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201110061308.3

    申请日：2011-03-15

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 林新强 ,  曾文良 ,  张洁玲

    IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/50

    CPC分类号： H01L33/504 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

    摘要： 本发明提供一种LED封装结构，其包括一个基板、一个反射杯、一个封装胶体以及一个LED芯片。所述基板具有一个顶面，所述顶面具有两个电极。所述反射杯设置于所述顶面上,在所述顶面上形成一个凹槽。所述LED芯片设置于所述凹槽的底部，并与两个电极达成电性连接。所述封装胶体包含有一层第一荧光胶以及一层第二荧光胶，所述第一荧光胶具有的第一荧光粉沉积在所述凹槽的底部，所述第二荧光胶覆盖在所述第一荧光胶上。本发明第一荧光胶的荧光粉与第二荧光胶区隔，可对应所述LED芯片的发光效能使受光激发效果相同混光均匀。

    发光二极管封装结构
    6.
    发明公开
    发光二极管封装结构 有权

    公开(公告)号：CN103545300A

    公开(公告)日：2014-01-29

    申请号：CN201210235306.6

    申请日：2012-07-09

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 叶辅湘 ,  林新强 ,  曾文良 ,  张洁玲

    IPC分类号： H01L25/075 ,  H01L33/50

    摘要： 一种发光二极管封装结构，其包括第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片以及荧光粉。该第一发光二极管芯片发出的光具有第一波长。该第二发光二极管芯片发出的光具有第二波长。该第一波长与第二波长均分布在380纳米至480纳米之间，且该第一波长与第二波长之差小于等于15纳米。该荧光粉位于该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片的出光路径上，该荧光粉的激发波长分布在550纳米至560纳米之间，该荧光粉在第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的激发下，将该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的波长进行转换。

    发光二极管封装结构的制造方法
    8.
    发明公开
    发光二极管封装结构的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN103258920A

    公开(公告)日：2013-08-21

    申请号：CN201210035908.7

    申请日：2012-02-17

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 林新强 ,  陈滨全 ,  陈隆欣

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/97 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

    摘要： 一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板上表面具有多个间隔设置的电极结构，电极结构包括间隔设置的第一电极和第二电极；在基板的具有电极结构的表面形成一阻隔层，阻隔层形成多个环形通槽，各个环形通孔与基板上表面共同围成一个杯状的凹槽；提供金属材料，将金属材料填充至各个凹槽内；移除阻隔层并将该金属材料固化，从而形成多个杯状的反射层，每个杯状反射层环绕一个电极结构并形成一凹杯；对反射层表面和电极结构表面进行亮化处理；将发光二极管芯片置于凹杯内并装设于电极结构上，且与第一电极和第二电极分别形成电连接；在凹杯内形成封装层；切割该基板形成多个发光二极管封装结构。

    发光二极管封装方法
    9.
    发明公开
    发光二极管封装方法 无效

    公开(公告)号：CN103187484A

    公开(公告)日：2013-07-03

    申请号：CN201110443706.1

    申请日：2011-12-27

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 陈滨全 ,  林新强

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/50

    CPC分类号： H01L33/50 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    摘要： 一种发光二极管封装方法，包括步骤：提供一基板；设置一发光二极管晶粒在该基板上；在基板上设置一光阻层，并使该光阻层覆盖住所述发光二极管晶粒；在光阻层上发光二极管晶粒的正上方罩设光罩；采用光照射光阻层；移除光罩，去除未被光照射到的光阻层部分以暴露出发光二极管晶粒；从光阻层一侧向发光二极管晶粒喷涂荧光粉；移除剩余的光阻层部分；用封装胶覆盖所述上方形成有荧光粉层的发光二极管晶粒。该种方法能够在发光二极管晶粒上形成均匀的荧光粉层。

    发光二极管封装方法
    10.
    发明公开
    发光二极管封装方法 无效

    公开(公告)号：CN103165764A

    公开(公告)日：2013-06-19

    申请号：CN201110423225.4

    申请日：2011-12-16

    申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

    发明人： 张洁玲 ,  林新强

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/52

    摘要： 一种发光二极管封装方法，包括：提供封装基材，该封装基材上具有至少一凹杯，凹杯内形成一容置槽；提供发光二极管芯片，将该发光二极管芯片固定于容置槽底部；使用模具，该模具具有流道，将液态封装胶料混合一沸点低于液态封装胶料的稀释液体由模具的流道流至封装基材的容置槽内，所述稀释液体将液态封装胶料稀释且使其能顺利在模组的流道内流动；通过高温使混入液态封装胶料内的稀释液体挥发；及烘烤固化液态封装胶料，形成封装层，且所述稀释液体的挥发温度低于固化液态封装胶料的烘烤温度。