公开(公告)号：CN101736316B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910261086.2

申请日：2006-04-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托马斯·诺瓦克 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  安德则耶·卡祖巴 ,  斯科特·A·亨德里克森 ,  达斯廷·W·霍 ,  萨恩吉夫·巴卢哈 ,  汤姆·周 ,  约瑟芬尼·常 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明用于处理室的高效UV清洁，其提供一种紫外(UV)固化室，其能够对布置在衬底上的介质材料进行固化并对其进行原位清洁。串列处理室设有两个单独并相邻的处理区域，这些处理区域由盖子所覆盖的主体限定，盖子分别位于各个处理区域上方并具有对准的窗口。每个由耦合到盖子的壳体所覆盖的处理区域有一个或多个UV灯泡发射UV光，UV光被经过窗口导向位于处理区域内的衬底上。UV灯泡可以是发光二极管阵列或采用例如微波或射频源的灯泡。可以在固化处理期间以脉冲方式产生UV光。使用远程产生的氧基/臭氧和/或原位实现了室的清洁。使用灯阵列、衬底与灯头的相对运动以及灯反射器形状和/或位置的实时改变可以增强衬底照明的均匀性。

公开(公告)号：CN100541735C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200480015122.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·C·斯楚弥特 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

Abstract: 一种用于沉积低介电常数膜的方法，所述方法包括将包含一种或者多种环状有机硅氧烷和一种或者多种惰性气体的气体混合物到室中的衬底。在一个方面中，该气体混合物还包含一种或者多种氧化气体。所述一种或者多种环状有机硅氧烷到所述室中的总流率与所述一种或者多种惰性气体到所述室中的总流率之比为从约0.10到约0.20。优选地，该低介电常数膜具有压应力。

公开(公告)号：CN1914715A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003299.5

申请日：2005-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伟·刘 ,  吉姆·中义·何 ,  桑-H·安 ,  梅华·沈 ,  海澈姆·穆萨德 ,  温迪·H·叶 ,  克里斯多佛·D·本彻尔

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/314

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：CN101171367B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200680014799.3

申请日：2006-04-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托马斯·诺瓦克 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  安德则耶·卡祖巴 ,  斯科特·A·亨德里克森 ,  达斯廷·W·霍 ,  萨恩吉夫·巴卢哈 ,  汤姆·周 ,  约瑟芬尼·常 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC classification number: B05D3/067 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/0493 ,  H01L21/31058

Abstract: 一种紫外(UV)固化室，能够对布置在衬底上的介质材料进行固化并对其进行原位清洁。串列处理室设有两个单独并相邻的处理区域，这些处理区域由盖子所覆盖的主体限定，盖子分别位于各个处理区域上方并具有对准的窗口。每个由耦合到盖子的壳体所覆盖的处理区域有一个或多个UV灯泡发射UV光，UV光被经过窗口导向位于处理区域内的衬底上。UV灯泡可以是发光二极管阵列或采用例如微波或射频源的灯泡。可以在固化处理期间以脉冲方式产生UV光。使用远程产生的氧基/臭氧和/或原位实现了室的清洁。使用灯阵列、衬底与灯头的相对运动以及灯反射器形状和/或位置的实时改变可以增强衬底照明的均匀性。

公开(公告)号：CN101107383A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002599.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪奈什·帕德海 ,  干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  崔振江 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  史蒂文·雷特尔 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

公开(公告)号：CN1799128A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015122.2

申请日：2004-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·C·斯楚弥特 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633

Abstract: 一种用于沉积低介电常数膜的方法，所述方法包括将包含一种或者多种环状有机硅氧烷和一种或者多种惰性气体的气体混合物到室中的衬底。在一个方面中，该气体混合物还包含一种或者多种氧化气体。所述一种或者多种环状有机硅氧烷到所述室中的总流率与所述一种或者多种惰性气体到所述室中的总流率之比为从约0.10到约0.20。优选地，该低介电常数膜具有压应力。

公开(公告)号：CN1989587B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200580013096.4

申请日：2005-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  汤姆·K·周 ,  戴曼·雷 ,  迪奈什·帕蒂 ,  托马斯·诺瓦克 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明公开了一种用于将气体分配到处理室的装置和方法。在一个实施例中，该装置包括具有多个贯通设置的孔的气体分配板和具有多个贯通设置的孔和多个设置在其中的馈通通道的阻滞板。第一气体路径将第一气体输送通过在阻滞板中的多个孔和气体分配板。旁路气体路径将第二气体输送通过阻滞板中的多个馈通通道并且在第二气体流经气体分配板之前输绕过阻滞板输送到区域中。

公开(公告)号：CN1938833B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580010028.2

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  卡勒德·A·埃彻尔 ,  崔振江

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L2221/1047

Abstract: 通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O2/CO2等，来氧化Si前驱体，形成粘附层。在另一个方案中，在低k膜沉积之前，去除诸如α-萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中，诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改，以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中，诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用，可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中，在低k沉积之前可以引入预处理等离子体，以增强阻挡界面的加热，使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。

公开(公告)号：CN100524640C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580003299.5

申请日：2005-01-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 伟·刘 ,  吉姆·中义·何 ,  桑-H·安 ,  梅华·沈 ,  海澈姆·穆萨德 ,  温迪·H·叶 ,  克里斯多佛·D·本彻尔

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/314

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

公开(公告)号：CN1957108A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580010033.3

申请日：2005-03-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  郑毅 ,  亦康苏 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  达斯廷·W·霍 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/76825 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/249978

Abstract: 本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。