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公开(公告)号：CN111010795A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911183526.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
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公开(公告)号：CN107079576A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053250.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了一种用于将来自射频(RF)发生器的RF能量输出与可变阻抗负载匹配的紧凑型可配置式射频匹配网络。该匹配网络包括输入连接器；输出连接器；以及包含一个或多个调谐与负载电子部件的部件组件阵列。电子部件中的至少一个耦接至输入连接器，电子部件中的至少一个耦接至输出连接器，部件组件阵列被适配成依选择的拓扑结构(topology)排列，以及选择的拓扑结构被适配成减少自可变阻抗负载反射(reflect)的RF能量。提供了诸多其他方面。
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公开(公告)号：CN102918180B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201180021285.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: B05B1/185 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , Y10T137/6851
Abstract: 本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用的屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件的喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板的外缘边缘。多片式框组件容许气体分配板膨胀，而不会产生可能导致电弧放电的间隙。在其它实施例中，绝缘体经定位而使集中于气体分配板外缘的电场位在绝缘体中，从而降低电弧放电的可能性。
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公开(公告)号：CN101495829B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780028318.9
申请日：2007-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: F26B3/30
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/54 , H01L21/67201
Abstract: 本发明的实施例包含经加热的负载锁定室。在一实施例中，经加热的负载锁定室包含腔体主体，所述腔体主体具有多个灯组件，这些灯组件至少部份地位于腔体主体中。每个灯组件包含可罩住一灯的传导管件。所述传导管件延伸进入所述腔体主体中，并提供压力阻障以将所述灯与所述腔体主体的内部体积隔离开。在另一实施例中，所述传导管件的开口端延伸穿过所述腔体主体的侧壁。所述传导管件的封闭端是由所述腔体主体的内部体积包围的，且在所述腔体主体的顶部下方按间隔的关系被支撑着。所述管件的开口端被密封至所述腔体主体的侧壁，使得所述管件的内部朝向大气打开。
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公开(公告)号：CN102308675A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
Abstract: 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107079576B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201580053250.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了一种用于将来自射频(RF)发生器的RF能量输出与可变阻抗负载匹配的紧凑型可配置式射频匹配网络。该匹配网络包括输入连接器；输出连接器；以及包含一个或多个调谐与负载电子部件的部件组件阵列。电子部件中的至少一个耦接至输入连接器，电子部件中的至少一个耦接至输出连接器，部件组件阵列被适配成依选择的拓扑结构(topology)排列，以及选择的拓扑结构被适配成减少自可变阻抗负载反射(reflect)的RF能量。提供了诸多其他方面。
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公开(公告)号：CN102308675B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
Abstract: 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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公开(公告)号：CN101842514B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200880114515.7
申请日：2008-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/45517
Abstract: 本发明提供一种用以密封处理腔室的开口的方法与设备。在一实施例中，本发明大致上提供闭合构件用以密封腔室的壁内的开口，该闭合构件被整合在处理腔室的壁中。在另一实施例中，本发明提供闭合构件用以从腔室内侧来密封处理腔室的壁中的开口。
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公开(公告)号：CN102859655A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180021614.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。
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公开(公告)号：CN102859034A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020889.4
申请日：2011-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67712 , C23C16/4587 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/67098 , H01L21/67126 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67201
Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
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