公开(公告)号：CN1929950A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007514.9

申请日：2005-03-09

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 曾科军

IPC: B23K31/00 ,  B23K31/02 ,  B23K35/24 ,  B23K35/12 ,  B23K35/22 ,  B32B15/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10992 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明揭示一种用于组装一具有抗疲劳互连圆角的半导体装置的方法，其提供一具有至少一个焊料突起的半导体芯片，所述至少一个焊料突起包含一熔化温度高于所用焊膏的锡与铅的合金。另外，提供一焊膏(优选二元焊膏)，其包含锡和约2.5重量百分比的银，且具有一约 221℃的熔化温度。使所述焊料突起与所述焊膏接触(803)；使所述突起部分地浸入在所述膏体中(804)；且提供热能以便在约235℃下重熔所述焊膏(805)。控制所述膏体重熔后的能量和时间的量，以使熔化的膏体溶解预定量的所述焊料突起(铅和锡)，以便形成一约为共晶成分(约1.62重量％的Ag，36.95重量％的Pb，61.43重量％的Sn)的三元合金，而不熔化所述焊料突起(806)。

公开(公告)号：CN101213076B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200680024468.8

申请日：2006-05-31

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 达尔文·R·爱德华兹 ,  屈子正 ,  曾科军

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2203/1105 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种金属互连结构(100)包括接合衬垫(101)，所述接合衬垫具有铜，所述铜的至少70体积百分比由在晶粒主方向上扩展1μm以上的晶粒组成，且30或少于30体积百分比由在晶粒主结晶方向上扩展1μm以下的晶粒组成。锡合金主体(102)与所述接合衬垫接触。

公开(公告)号：CN101213076A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024468.8

申请日：2006-05-31

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 达尔文·R·爱德华兹 ,  屈子正 ,  曾科军

IPC: B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  H01L23/532

CPC classification number: H05K3/3436 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2203/1105 ,  Y02P70/613 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种金属互连结构(100)包括接合衬垫(101)，所述接合衬垫具有铜，所述铜的至少70体积百分比由在晶粒主方向上扩展1μm以上的晶粒组成，且30或少于30体积百分比由在晶粒主结晶方向上扩展1μm以下的晶粒组成。锡合金主体(102)与所述接合衬垫接触。