公开(公告)号：CN107665828A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610614596.3

申请日：2016-07-29

申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司

发明人： 孙见奇

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/74 ,  H01L21/6838 ,  H01L24/80 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/97

摘要： 本发明涉及一种自动键合装置及方法，该装置包括蓝膜片台、传输单元、载板运动台以及键合运动台，其中，所述蓝膜片台用于承载并夹紧蓝膜片，所述蓝膜片上设置芯片；所述传输单元包括两传动轮以及缠绕固定于所述传动轮上的传输带，所述传输带上均匀排布有若干真空吸头；所述载板运动台上设有带有吸附功能的转移块，可吸附多个芯片；所述键合运动台用于承载硅片，所述转移块在所述真空吸头与所述硅片之间移动送料。本发明提出一种芯片到转移块，转移块到硅片的方式来实现C2W，这种方式的好处是可以通过多个转移块的方式来提高产率，从而比一般的C2W产率更高；同时，本发明提出采用传输带上固定真空吸头的方式进一步提高产率。

公开(公告)号：CN104051422B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310277268.5

申请日：2013-07-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： A61N1/3931 ,  A61N1/3987 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。

公开(公告)号：CN104051329B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

公开(公告)号：CN106449676A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610797377.3

申请日：2012-07-12

申请人： 索尼公司

发明人： 三桥生枝 ,  秋山健太郎 ,  菊地晃司

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

摘要： 本发明涉及半导体装置和电子设备。半导体装置包括：传感器基板，包括：第一半导体基板；第一配线层，形成在第一半导体基板的第一主面侧；绝缘材料层，形成在第一半导体基板的第二主面侧；连接导电层，形成在绝缘材料层上，其中连接导电层的上面侧包括凹部；第一膜，形成在连接导电层上且覆盖连接导电层的凹部的内表面；和第二膜，形成在第一膜上，其中第一膜和第二膜中的至少一部分在凹部内；和逻辑基板，包括：第二半导体基板；和第二配线层，形成在第二半导体基板的第一主面侧，其中，传感器基板和逻辑基板结合在一起以使第一配线层面对第二配线层，且连接导电层将第一配线层中的第一配线与第二配线层中的第二配线电连接。

公开(公告)号：CN102903610B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210262813.9

申请日：2012-07-26

申请人： 索泰克公司

发明人： 约努茨·拉杜

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/187 ,  H01L21/8221 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/80001

摘要： 制造包括位于支撑衬底上的功能化层的半导体结构的工艺。本发明涉及一种制造包括位于支撑衬底（3）上的第一功能化层（4）的半导体结构（1）的工艺，所述工艺包括以下步骤：（a）在源衬底（2）中注入离子物质，所述源衬底（2）包括：所述功能化层（4）和相对于注入方向位于所述功能化层（4）下面的牺牲缓冲层（5），所述离子物质被注入到限制源衬底（2）的包括缓冲层（5）的至少一部分和功能化层（4）的上部（20）的厚度的深度；（b）将源衬底（2）接合到支撑衬底（3）；（c）使所述源衬底（2）破裂并且向支撑衬底（3）传递源衬底（2）的上部（20）；（d）通过相对于功能化层（4）的选择性蚀刻去除缓冲层（5）。

公开(公告)号：CN104716086A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410575580.7

申请日：2014-10-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 川崎敦子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。

公开(公告)号：CN104051329A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

公开(公告)号：CN103579114A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310173218.2

申请日：2013-05-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张贵松 ,  郑钧文 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  朱家骅

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。

公开(公告)号：CN102110700B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010593726.2

申请日：2010-12-17

申请人： 索尼公司

发明人： 糸长总一郎 ,  堀池真知子

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L27/14647 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02002 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H04N5/374 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体部，其包括位于其一侧的第一布线层；第二半导体部，其包括位于其一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定在一起，且所述第一半导体部的第一布线层侧与所述第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；以及导电材料件，其穿过所述第一半导体部而延伸至所述第二半导体部的所述第二布线层，且借助于所述导电材料件使得所述第一布线层与所述第二布线层电连通。本发明能够提供诸如减小了寄生电容以实现高性能的固体摄像器件等半导体器件、用于制造该半导体器件的方法、以及包括该固体摄像器件的诸如照相机等电子装置。

公开(公告)号：CN103035642A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210370204.5

申请日：2012-09-28

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 金子贵昭 ,  井上尚也 ,  林喜宏

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件。半导体器件包括逻辑电路和有源元件电路。逻辑电路设置有形成于半导体衬底中的半导体元件。有源元件电路设置有使用半导体层形成的晶体管，该半导体层形成于在半导体衬底上方形成的第一绝缘膜上。由逻辑电路控制有源元件电路。