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公开(公告)号：CN106449556B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201611005580.9
申请日：2013-03-28
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/552
摘要： 一种具有散热结构及电磁干扰屏蔽的半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体、一凹部、一第一电性连接件及一导电层。基板具有一接地元件。半导体芯片设于该基板上，且具有数个焊垫。封装体包覆该半导体芯片。凹部形成于该封装体中且设于至少二该焊垫之间，其中该凹部露出该半导体芯片的一上表面的至少一部分，且超过该半导体芯片的至少一侧边。第一电性连接件设于该凹部内。导电层设于该第一电性连接件上及该封装体的一外表面上，其中该导电层直接接触该接地元件。
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公开(公告)号：CN107275241B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710616109.1
申请日：2014-02-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
摘要： 半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上，且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩，所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号：CN105552061B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510690564.7
申请日：2015-10-22
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L24/97 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/81005 , H01L2224/85005 , H01L2224/97 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体封装元件包含衬底、至少一个组件、封装本体、第一导电层、第一屏蔽层、第二屏蔽层及第二导电层。所述组件设置于所述衬底的第一表面上。所述封装本体设置于所述衬底的所述第一表面上且覆盖所述组件。所述第一导电层覆盖所述封装本体及所述衬底的至少一部分。所述第一屏蔽层覆盖所述第一导电层，且具有第一厚度并包含高电导率材料。所述第二屏蔽层覆盖所述第一屏蔽层，且具有第二厚度并包含高磁导率材料。所述第一厚度对所述第二厚度的比率在0.2到3的范围内。所述第二导电层覆盖所述第二屏蔽层。
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公开(公告)号：CN108022889A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711016136.1
申请日：2014-08-26
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/24 , H01L2224/24246 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包括：裸片承座；裸片，安置于所述裸片承座上；第一引脚及第二引脚，安置于所述裸片承座的周围；第一电介质层，覆盖所述裸片、所述裸片承座、所述第一引脚及所述第二引脚，且所述第一电介质层具有第一通孔，露出至少部分的所述裸片，及第二通孔，露出至少部分的所述第二引脚，其中所述第一电介质材料的一侧面与所述第一引脚的一侧面实质上齐平；图案化导电层，安置于所述第一电介质层的上表面上，其中所述图案化导电层通过所述第一通孔与所述裸片电性连接，且所述图案化导电层通过所述第二通孔与所述第二引脚电性连接；第二电介质层，安置于所述第一电介质层上，且所述第二电介质层覆盖所述图案化导电层；及导电层，包覆所述第二电介质层的上表面及侧面及所述电介质层的所述侧面，并且与所述第一引脚的所述侧面直接接触。
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公开(公告)号：CN104851878B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201410051003.8
申请日：2014-02-14
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明涉及一种具有天线的半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包含衬底、至少一个电元件、芯片、天线及模制化合物。所述电元件及所述芯片与所述衬底电连接。所述天线具有天线本体及馈入部分，所述天线本体位于所述电元件及所述芯片的上方，且所述馈入部分与所述衬底电连接。所述模制化合物覆盖所述电元件及所述芯片。所述天线嵌于所述模制化合物中，且从所述模制化合物的上表面显露。
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公开(公告)号：CN104851878A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410051003.8
申请日：2014-02-14
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要： 本发明涉及一种具有天线的半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包含衬底、至少一个电元件、芯片、天线及模制化合物。所述电元件及所述芯片与所述衬底电连接。所述天线具有天线本体及馈入部分，所述天线本体位于所述电元件及所述芯片的上方，且所述馈入部分与所述衬底电连接。所述模制化合物覆盖所述电元件及所述芯片。所述天线嵌于所述模制化合物中，且从所述模制化合物的上表面显露。
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公开(公告)号：CN102254901B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110221312.1
申请日：2011-08-03
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/50 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 半导体结构包括基板单元、半导体组件、导电性接脚、封装体及防电磁干扰膜。基板单元具有接地端、上表面及下表面。半导体组件及导电性接脚设置于邻近基板单元的上表面，封装体包覆半导体组件且具有第一封装上表面、第二封装上表面及封装侧面，第一封装上表面实质上平行于第二封装上表面，且封装侧面连接第一封装上表面与第二封装上表面。防电磁干扰膜包括上部、侧部及支部，上部覆盖封装体的第一封装上表面，支部覆盖封装体的第二封装上表面，而侧部覆盖封装体的封装侧面。导电性接脚连接基板单元的接地端与防电磁干扰膜的侧部。
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公开(公告)号：CN102064141B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010564617.8
申请日：2010-11-17
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/28 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要： 在此说明用于遮蔽电磁干扰的半导体装置封装件以及其相关的方法。在一实施例中，一半导体装置封装件包括一接地组件，此接地组件设置邻接于一基板单元的周围并且至少部分延伸于基板单元的上表面和下表面之间。此接地组件包括一凹陷部分，此凹陷部分设置邻接于基板单元的侧向表面。此半导体装置封装件还包括一电磁干扰遮蔽件，此电磁干扰遮蔽件电性地连接至接地组件，并且向内凹进地邻接于接地组件的凹陷部分。
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公开(公告)号：CN101800215B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910007479.0
申请日：2009-02-11
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/552
CPC分类号： H01L25/16 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种无线通讯模组封装构造，其包含一基板、至少一芯片及一遮蔽罩盖。所述基板的上表面具有一承载区，所述承载区的周围具有一环形接地垫，及所述承载区内具有至少一辅助接地垫，所述芯片设于所述承载区并与所述基板电性连接。所述遮蔽罩盖具有一容置空间、一接地端面及至少一辅助接地部。所述容置空间用以容置所述芯片。所述接地端面电性连接于所述基板的环形接地垫。所述辅助接地部电性连接于所述基板的辅助接地垫，以形成至少一辅助接地通路，其用以改变因空腔谐振效应而产生的增强峰值的特性，使增强峰值位移到遮蔽测试的规定频带范围之外，以提高遮蔽测试的成品率。
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公开(公告)号：CN108022889B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201711016136.1
申请日：2014-08-26
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种元件嵌入式封装结构、其半导体装置及其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包括：裸片承座；裸片，安置于所述裸片承座上；第一引脚及第二引脚，安置于所述裸片承座的周围；第一电介质层，覆盖所述裸片、所述裸片承座、所述第一引脚及所述第二引脚，且所述第一电介质层具有第一通孔，露出至少部分的所述裸片，及第二通孔，露出至少部分的所述第二引脚，其中所述第一电介质材料的一侧面与所述第一引脚的一侧面实质上齐平；图案化导电层，安置于所述第一电介质层的上表面上，其中所述图案化导电层通过所述第一通孔与所述裸片电性连接，且所述图案化导电层通过所述第二通孔与所述第二引脚电性连接；第二电介质层，安置于所述第一电介质层上，且所述第二电介质层覆盖所述图案化导电层；及导电层，包覆所述第二电介质层的上表面及侧面及所述电介质层的所述侧面，并且与所述第一引脚的所述侧面直接接触。
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