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公开(公告)号：CN103190082A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053567.X
申请日：2011-11-21
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 佐竹裕崇
CPC分类号： H05K1/181 , H01L23/3677 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/142 , H01L2924/19051 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01P1/20345 , H03F3/195 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/60 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/165 , H03F2200/171 , H03F2200/294 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种电子部件，其具备：层叠体，其具备形成有导体图案的多个绝缘体层；放大器用半导体元件，其搭载在所述层叠体的上表面的安装电极上，其中，在所述层叠体的接近上表面的绝缘体层上形成有第一接地电极，在所述层叠体的接近下表面的绝缘体层上形成有第二接地电极，所述第一接地电极通过多个通孔与所述安装电极连接，在所述第一接地电极与所述第二接地电极之间，且在所述放大器用半导体元件的下方的区域配置有构成第一电路块的导体图案，所述第一电路块与所述放大器用半导体元件的连接线路用的导体图案的至少一部分配置在由所述安装电极和所述第一接地电极夹持的绝缘体层上。
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公开(公告)号：CN103098370A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044126.3
申请日：2011-09-12
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 佐竹裕崇
CPC分类号： H04B3/32 , H03H7/0123 , H03H7/0161 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H7/42 , H03H7/422 , H03H7/463 , H03H2001/0085
摘要： 本发明提供一种具备滤波器及平衡不平衡转换器的层叠体型电子部件，具备形成有导体图案的多个绝缘体层构成的层叠体，层叠体的上面侧绝缘体层和底面侧绝缘体层分别形成有接地电极，通过由电连接上面侧接地电极与底面侧接地电极的纵列的过孔群构成的第一屏蔽部，层叠体被划分为第一及第二区域，第一区域配置有构成第一频带用的第一滤波器的导体图案，第二区域配置有构成第一频带用的第一平衡不平衡转换器的导体图案，层叠体的底面或侧面形成有多个端子电极，作为第一滤波器的不平衡端口的端子电极之一被配置为与作为第一平衡不平衡转换器的不平衡端口的端子电极不隔着除接地电极以外的其他端子电极地相邻，第一滤波器与第一平衡不平衡转换器处于非电连接状态。
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公开(公告)号：CN110291601A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201880011121.2
申请日：2018-06-19
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H01F41/02 , H01F27/245
摘要： 本发明提供一种卷绕磁芯的制造方法及卷绕磁芯，所述卷绕磁芯是缠绕着能够纳米晶化的软磁性合金薄带的非圆形状的卷绕磁芯，所述卷绕磁芯的制造方法通过浸渍树脂而容易地抑制电感的下降。一种卷绕磁芯的制造方法，所述卷绕磁芯是包含纳米结晶软磁性合金薄带的非圆形状的卷绕磁芯，所述卷绕磁芯的制造方法包括如下的工序：缠绕能够纳米晶化的软磁性合金薄带而获得层叠体；在所述层叠体的内周侧插入热处理用的内周夹具而在轴方向上观察时保持为非圆形状，对保持为所述非圆形状的所述层叠体实施热处理而使所述能够纳米晶化的软磁性合金薄带纳米晶化；以及将所述经纳米晶化的层叠体，利用树脂浸渍用的外周夹具及内周夹具保持为所述非圆形状，将树脂浸渍于所述层叠体的层间；并且，所述树脂浸渍用的内周夹具与外周夹具在所述层叠体的曲率大的部位上，是不与层叠体的内周面或外周面的至少一者相接的形状。
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公开(公告)号：CN103098370B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180044126.3
申请日：2011-09-12
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 佐竹裕崇
CPC分类号： H04B3/32 , H03H7/0123 , H03H7/0161 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H7/42 , H03H7/422 , H03H7/463 , H03H2001/0085
摘要： 本发明提供一种具备滤波器及平衡不平衡转换器的层叠体型电子部件，具备形成有导体图案的多个绝缘体层构成的层叠体，层叠体的上面侧绝缘体层和底面侧绝缘体层分别形成有接地电极，通过由电连接上面侧接地电极与底面侧接地电极的纵列的过孔群构成的第一屏蔽部，层叠体被划分为第一及第二区域，第一区域配置有构成第一频带用的第一滤波器的导体图案，第二区域配置有构成第一频带用的第一平衡不平衡转换器的导体图案，层叠体的底面或侧面形成有多个端子电极，作为第一滤波器的不平衡端口的端子电极之一被配置为与作为第一平衡不平衡转换器的不平衡端口的端子电极不隔着除接地电极以外的其他端子电极地相邻，第一滤波器与第一平衡不平衡转换器处于非电连接状态。
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公开(公告)号：CN110291601B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201880011121.2
申请日：2018-06-19
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H01F41/02 , H01F27/245
摘要： 本发明提供一种卷绕磁芯的制造方法及卷绕磁芯，所述卷绕磁芯的制造方法通过浸渍树脂而容易地抑制电感的下降。所述卷绕磁芯的制造方法包括如下的工序：缠绕能够纳米晶化的软磁性合金薄带而获得层叠体；在所述层叠体的内周侧插入热处理用的内周夹具而在轴方向上观察时保持为非圆形状，对保持为所述非圆形状的所述层叠体实施热处理而使所述能够纳米晶化的软磁性合金薄带纳米晶化；以及将所述经纳米晶化的层叠体，利用树脂浸渍用的外周夹具及内周夹具保持为所述非圆形状，将树脂浸渍于所述层叠体的层间；并且，所述树脂浸渍用的内周夹具与外周夹具在所述层叠体的曲率大的部位上，是不与层叠体的内周面或外周面的至少一者相接的形状。
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公开(公告)号：CN105793672A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065400.9
申请日：2014-12-25
申请人： 日立金属株式会社
摘要： 本发明提供难以引起连接构件与配线构件的剥离且可靠性非常高的磁传感器。本发明所涉及的磁传感器(1)的特征在于，具备：具有弹性地支承磁传感器元件安装部(21)的弹性部的支承构件(3)；设置在磁传感器元件安装部(21)上且检测磁场并进行电输出的磁传感器元件(5)；与磁传感器元件(5)电连接且具有可挠性的配线构件(7)；将支承构件(3)与配线构件(7)连接起来的连接构件(9)；以及设置在配线构件(7)的至少上表面上的、与连接构件(9)对应的位置的帽构件(11)。
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公开(公告)号：CN103190082B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180053567.X
申请日：2011-11-21
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 佐竹裕崇
CPC分类号： H05K1/181 , H01L23/3677 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/142 , H01L2924/19051 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01P1/20345 , H03F3/195 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/60 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/165 , H03F2200/171 , H03F2200/294 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种电子部件，其具备：层叠体，其具备形成有导体图案的多个绝缘体层；放大器用半导体元件，其搭载在所述层叠体的上表面的安装电极上，其中，在所述层叠体的接近上表面的绝缘体层上形成有第一接地电极，在所述层叠体的接近下表面的绝缘体层上形成有第二接地电极，所述第一接地电极通过多个通孔与所述安装电极连接，在所述第一接地电极与所述第二接地电极之间，且在所述放大器用半导体元件的下方的区域配置有构成第一电路块的导体图案，所述第一电路块与所述放大器用半导体元件的连接线路用的导体图案的至少一部分配置在由所述安装电极和所述第一接地电极夹持的绝缘体层上。
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公开(公告)号：CN101064521A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100893.7
申请日：2007-04-24
申请人： 日立金属株式会社
CPC分类号： H01L2224/05554 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/19105
摘要： 一种高频电路，具有与天线端子相连接的开关电路、与开关电路相连接的第1和第2分波电路、与第1分波电路相连接的第1和第2功率放大电路、与第1及第2功率放大电路相连接的第1及第2带通滤波电路、与第2分波电路相连接的第3带通滤波电路、设置在开关电路与第1分波电路之间的检波电路、以及设置在开关电路与第2分波电路之间的低噪声放大电路。
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