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公开(公告)号：CN1875462A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480032141.6
申请日：2004-11-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 小早川真人
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造具有足够的载流子浓度和低晶体损伤发生率的表面的p型III族氮化物半导体的有效方法。所述制造p型III族氮化物半导体的发明方法包括以下步骤：(a)在包括氢气和/或氨气的气氛中在1000℃或更高的温度下，生长包括p型掺杂剂的III族氮化物半导体；以及(b)在所述III族氮化物半导体的所述生长后，当降低温度时，在高于800℃的温度下用惰性气体替代所述氢气和氨气。
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公开(公告)号：CN1943047A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011658.1
申请日：2005-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/3054 , H01S5/32341 , Y02E10/544
Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。
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公开(公告)号：CN1864277A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028833.3
申请日：2004-10-01
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。
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公开(公告)号：CN100481540C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580004358.0
申请日：2005-02-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。
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公开(公告)号：CN100481330C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580034835.8
申请日：2005-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成III族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为III族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为III族元素的源的原材料气体，从而制造所述III族氮化物半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446281C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200480028833.3
申请日：2004-10-01
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供氮化物半导体产品，该产品没有导致反向耐电压的时间相关的降低并且保持较好的初始反向耐电压。本发明的氮化物半导体产品包括n型层，发光层和p型层，所述各层由氮化物半导体形成并以上述次序顺序层叠在衬底上，所述发光层具有量子阱结构，其中阱层夹在具有比所述阱层的带隙宽的带隙的势垒层之间，其中每个势垒层包括：在比所述阱层的生长温度高的温度下生长的势垒子层C，和在比所述势垒子层C的生长温度低的温度下生长的势垒子层E，并且所述势垒子层C相对于所述势垒子层E设置靠近所述衬底。
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公开(公告)号：CN100472716C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480032141.6
申请日：2004-11-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 小早川真人
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造具有足够的载流子浓度和低晶体损伤发生率的表面的p型III族氮化物半导体的有效方法。所述制造p型III族氮化物半导体的发明方法包括以下步骤：(a)在包括氢气和/或氨气的气氛中在1000℃或更高的温度下，生长包括p型掺杂剂的III族氮化物半导体；以及(b)在所述III族氮化物半导体的所述生长后，当降低温度时，在高于800℃的温度下用惰性气体替代所述氢气和氨气。
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公开(公告)号：CN100470857C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200580011658.1
申请日：2005-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/3054 , H01S5/32341 , Y02E10/544
Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。
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公开(公告)号：CN101040368A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034835.8
申请日：2005-09-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成III族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为III族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为III族元素的源的原材料气体，从而制造所述III族氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN1918717A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004358.0
申请日：2005-02-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。
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