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公开(公告)号:CN104681510A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201310644104.1
申请日:2013-12-03
Applicant: 晟碟信息科技(上海)有限公司 , 晟碟半导体(上海)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/3043 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2223/54426 , H01L2224/05554 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/49176 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1438 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和其制造方法。该半导体器件包括安装、在基板的表面上的半导体裸片,例如控制器裸片。一个半导体桥也安装在基板上,半导体裸片适配在桥结构的底部表面中形成的沟槽之内。该桥结构可以由半导体晶圆形成为作用为机械间隔层的虚设桥结构、或同时作用为机械间隔层和集成电路半导体裸片的IC桥结构。存储器裸片也可以被安装在桥结构的顶上。
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公开(公告)号:CN110391218A
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201810366077.9
申请日:2018-04-23
Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司
Abstract: 公开了一种具有裸芯翘起控制的半导体装置。在一个实施例中,提供了一种半导体装置,包括:衬底;堆叠在该衬底上的第一半导体裸芯;以及堆叠在该第一半导体裸芯上的多个附加的半导体裸芯,其中该多个附加的半导体裸芯以偏移配置来堆叠,使得该多个附加的半导体裸芯中的每个的边缘悬垂于其所堆叠于上的半导体裸芯的边缘之上;其中该多个附加的半导体裸芯中的最顶部半导体裸芯的厚度大于其他附加的半导体裸芯中的任何一个的厚度。提供了其他实施例。
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公开(公告)号:CN104752491A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201310743148.X
申请日:2013-12-30
Applicant: 晟碟半导体(上海)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L25/065
CPC classification number: H05K1/181 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/181 , H05K2201/10159 , H05K2201/10515 , H05K2201/2018 , Y02P70/611 , Y10T428/24273 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本技术公开了一种用于半导体装置的间隔体层及半导体装置。该半导体装置包括安装在基板的表面上的诸如控制器裸芯的半导体裸芯。间隔体层也安装在基板上,半导体裸芯适配在穿过间隔体层的相反的第一主表面和第二主表面形成的孔或凹口内。附加的半导体裸芯,例如闪存裸芯,可安装在间隔体层的顶上。
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