公开(公告)号：CN102326002B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080009031.3

申请日：2010-02-05

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 关田幸照 ,  久保田和马 ,  守屋刚 ,  菅原荣一

IPC分类号： F04D19/04

CPC分类号： F04D29/701 ,  F04D19/042

摘要： 本发明提供一种涡轮分子泵，其包括：转子(30)，其形成有多层旋转叶片(32)且能够进行高速旋转；多个固定叶片(33)，它们在泵轴线方向上与旋转叶片(32)交替配置；泵外壳(34)，其用于容纳旋转叶片(32)及固定叶片(33)且形成有进气口(21a)；圆盘(150)，其设在靠近转子(30)的进气口侧的位置上且以与比转子(30)的旋转叶片根部靠近内径侧的面相面对的方式进行配置；圆筒状的网眼结构体(153a、153b)，其配置在进气口(21a)和转子(30)之间且由细线编织而成，将被转子弹起的颗粒捕捉到网眼结构体(153a、153b)的内部。

公开(公告)号：CN101814425A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010121550.0

申请日：2010-02-11

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 秋山修 ,  秋本雅司 ,  守屋刚 ,  山涌纯

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01N21/31

CPC分类号： G01N21/3554 ,  G01N21/031 ,  G01N21/05 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种半导体制造工艺用吸光分析装置，其具备与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接的流路切换机构和多重反射型水分浓度计测用吸光分析计，该吸光分析计使来自激光光源的激光在单元内多重反射，检测单元内的气体的吸光度变化，并测定该气体中的水分浓度。所述流路切换机构将所述排气流路在经由所述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之间进行切换并连接。

公开(公告)号：CN101814425B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010121550.0

申请日：2010-02-11

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 秋山修 ,  秋本雅司 ,  守屋刚 ,  山涌纯

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01N21/31

CPC分类号： G01N21/3554 ,  G01N21/031 ,  G01N21/05 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种半导体制造工艺用吸光分析装置，其具备与半导体制造工艺的处理室的排气流路连接的流路切换机构和多重反射型水分浓度计测用吸光分析计，该吸光分析计使来自激光光源的激光在单元内多重反射，检测单元内的气体的吸光度变化，并测定该气体中的水分浓度。所述流路切换机构将所述排气流路在经由所述单元而被排气的计测用流路和不经由所述单元而被排气的旁通流路之间进行切换并连接。

公开(公告)号：CN102326002A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080009031.3

申请日：2010-02-05

申请人： 株式会社岛津制作所 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 关田幸照 ,  久保田和马 ,  守屋刚 ,  菅原荣一

IPC分类号： F04D19/04

CPC分类号： F04D29/701 ,  F04D19/042

摘要： 本发明提供一种涡轮分子泵，其包括：转子(30)，其形成有多层旋转叶片(32)且能够进行高速旋转；多个固定叶片(33)，它们在泵轴线方向上与旋转叶片(32)交替配置；泵外壳(34)，其用于容纳旋转叶片(32)及固定叶片(33)且形成有进气口(21a)；圆盘(150)，其设在靠近转子(30)的进气口侧的位置上且以与比转子(30)的旋转叶片根部靠近内径侧的面相面对的方式进行配置；圆筒状的网眼结构体(153a、153b)，其配置在进气口(21a)和转子(30)之间且由细线编织而成，将被转子弹起的颗粒捕捉到网眼结构体(153a、153b)的内部。

公开(公告)号：CN112513324B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201980050065.8

申请日：2019-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木悠介 ,  守屋刚 ,  光成正 ,  岩下伸也 ,  森贞佳纪 ,  野吕尚孝 ,  加贺谷宗仁 ,  田中谕志

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

摘要： 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。

公开(公告)号：CN110592558B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201910505338.5

申请日：2019-06-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 岩下伸也 ,  铃木步太 ,  进藤崇央 ,  传宝一树 ,  松土龙夫 ,  森田靖 ,  菊地贵伦 ,  守屋刚

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

摘要： 本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。

公开(公告)号：CN113169068A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080907.4

申请日：2019-12-04

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

发明人： 堀胜 ,  关根诚 ,  杉浦启嗣 ,  守屋刚 ,  田中谕志 ,  森贞佳纪

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  C23C16/26

摘要： 在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。

公开(公告)号：CN107850495B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201780002554.7

申请日：2017-04-06

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 光成正 ,  田中谕志 ,  守屋刚 ,  松田俊也 ,  宫川正章 ,  岩崎贤也

IPC分类号： G01K11/32

摘要： 本发明提供温度测量用基板以及温度测量系统，温度测量用基板具备：基板，其为半导体晶片或者平板显示器用基板的任一个；和至少一根光纤，其敷设于所述基板的表面，具有第一图案部、和比所述第一图案部更密地形成的第二图案部。

公开(公告)号：CN111164739A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880064580.7

申请日：2018-09-26

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 岩下伸也 ,  菊地贵伦 ,  野吕尚孝 ,  长谷川敏夫 ,  守屋刚

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

摘要： 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。

公开(公告)号：CN108165954A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711284172.6

申请日：2017-12-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木步太 ,  山本康介 ,  松崎和爱 ,  加贺谷宗仁 ,  守屋刚 ,  光成正 ,  久保敦史

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。