公开(公告)号：CN108122736A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711230835.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 花岛建夫 ,  佐佐木隆史 ,  平松宏朗 ,  镰仓司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a-1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a-2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。

公开(公告)号：CN101834109A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010128802.2

申请日：2010-03-08

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山口天和 ,  白子贤治 ,  平松宏朗

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/04

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32779

Abstract: 本发明提供一种能够使反应室内的等离子体密度均匀的半导体制造装置，该半导体制造装置具有处理衬底的处理室(52)、设在该处理室(52)内用于生成等离子体的等离子体室(76)、设在处理室(52)外侧的多个高频天线(84)、以及隔开规定间隔地配置在由等离子体室(76)和多个高频天线(84)夹持的位置上并将由高频天线(84)产生的电场屏蔽的屏蔽罩(90)，越趋向多个高频天线(84)的接近部(位置P)，屏蔽罩(90)的间隔越窄。

公开(公告)号：CN104681466B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201410710890.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐藤武敏 ,  平松宏朗 ,  广地志有

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。若在流过原料气体的定时在ALD成膜中腔室内压力急剧变化，则衬底发生偏移，由此原料气体进入晶片背面，在灯表面发生成膜。衬底处理装置包括：衬底处理室，对衬底进行处理；气体供给部，在对衬底处理时向所述衬底处理室交替供给多种处理气体；衬底保持部，具有保持所述衬底的背面的一部分的保持机构、和支承所述保持机构的支承部；加热部，从背面加热所述衬底；待机室，供所述衬底保持部待机；以及控制部，控制所述气体供给部及/或气体排气部，以使所述衬底处理室的压力高于所述待机室的压力。

公开(公告)号：CN104681466A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410710890.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐藤武敏 ,  平松宏朗 ,  广地志有

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。若在流过原料气体的定时在ALD成膜中腔室内压力急剧变化，则衬底发生偏移，由此原料气体进入晶片背面，在灯表面发生成膜。衬底处理装置包括：衬底处理室，对衬底进行处理；气体供给部，在对衬底处理时向所述衬底处理室交替供给多种处理气体；衬底保持部，具有保持所述衬底的背面的一部分的保持机构、和支承所述保持机构的支承部；加热部，从背面加热所述衬底；待机室，供所述衬底保持部待机；以及控制部，控制所述气体供给部及/或气体排气部，以使所述衬底处理室的压力高于所述待机室的压力。

公开(公告)号：CN304849729S

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201830202248.5

申请日：2018-05-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈嶋优作 ,  加贺谷彻 ,  平松宏朗 ,  江端慎也

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。
2．本外观设计产品的用途：是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。

公开(公告)号：CN304839985S

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201830202247.0

申请日：2018-05-07

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈嶋优作 ,  加贺谷彻 ,  平松宏朗 ,  江端慎也

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。