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    衬底处理装置及半导体器件的制造方法
    2.
    发明公开
    衬底处理装置及半导体器件的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN106486393A

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：CN201510618477.0

    申请日：2015-09-24

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 广地志有

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

    摘要： 提高具有多个处理室的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：能够处理衬底的多个处理室；能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部；能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部；能够对多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部；和控制部，以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部，即，在向多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时，与向一个处理室供给所述处理气体并行地，向其他处理室供给吹扫气体，并对一个处理室和其他处理室进行排气。

    衬底处理装置以及半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开
    衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104752271A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201410092352.4

    申请日：2014-03-13

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 广地志有 ,  大桥直史

    IPC分类号： H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67011

    摘要： 本发明提供一种衬底处理装置以及半导体装置的制造方法，能够形成离子损伤等较少的高品质的膜。为解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，其具有反应气体供给管和惰性气体供给管，其中，所述反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部；所述惰性气体供给管，其下游端连接在所述反应气体供给控制部与所述等离子体生成部之间，并且，上游端与惰性气体供给源连接，而且设有惰性气体供给控制部；处理室，其收容被处理衬底，从所述原料气体供给系统被供给原料气体，从所述反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，其至少对所述原料气体供给控制部和所述反应气体供给控制部和所述惰性气体供给控制部进行控制。

    衬底处理装置及半导体器件的制造方法
    4.
    发明授权
    衬底处理装置及半导体器件的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104681466B

    公开(公告)日：2017-11-28

    申请号：CN201410710890.5

    申请日：2014-11-28

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 佐藤武敏 ,  平松宏朗 ,  广地志有

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

    CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481

    摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。若在流过原料气体的定时在ALD成膜中腔室内压力急剧变化，则衬底发生偏移，由此原料气体进入晶片背面，在灯表面发生成膜。衬底处理装置包括：衬底处理室，对衬底进行处理；气体供给部，在对衬底处理时向所述衬底处理室交替供给多种处理气体；衬底保持部，具有保持所述衬底的背面的一部分的保持机构、和支承所述保持机构的支承部；加热部，从背面加热所述衬底；待机室，供所述衬底保持部待机；以及控制部，控制所述气体供给部及/或气体排气部，以使所述衬底处理室的压力高于所述待机室的压力。

    衬底处理装置及半导体器件的制造方法
    5.
    发明公开
    衬底处理装置及半导体器件的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104681466A

    公开(公告)日：2015-06-03

    申请号：CN201410710890.5

    申请日：2014-11-28

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 佐藤武敏 ,  平松宏朗 ,  广地志有

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

    CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481

    摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。若在流过原料气体的定时在ALD成膜中腔室内压力急剧变化，则衬底发生偏移，由此原料气体进入晶片背面，在灯表面发生成膜。衬底处理装置包括：衬底处理室，对衬底进行处理；气体供给部，在对衬底处理时向所述衬底处理室交替供给多种处理气体；衬底保持部，具有保持所述衬底的背面的一部分的保持机构、和支承所述保持机构的支承部；加热部，从背面加热所述衬底；待机室，供所述衬底保持部待机；以及控制部，控制所述气体供给部及/或气体排气部，以使所述衬底处理室的压力高于所述待机室的压力。

    衬底处理装置以及半导体装置的制造方法
    6.
    发明授权
    衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104752271B

    公开(公告)日：2018-04-20

    申请号：CN201410092352.4

    申请日：2014-03-13

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 广地志有 ,  大桥直史

    IPC分类号： H01L21/67

    CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186

    摘要： 本发明提供衬底处理装置及半导体装置的制造方法。衬底处理装置具有：原料气体供给系统，具有与原料气体源连接，设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，具有反应气体供给管和非活性气体供给管，反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部；非活性气体供给管的下游端连接在反应气体供给控制部与等离子体生成部之间，上游端与非活性气体供给源连接，设有非活性气体供给控制部；处理室，收容被处理衬底，从原料气体供给系统被供给原料气体，从反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，至少对原料气体供给控制部和反应气体供给控制部和非活性气体供给控制部进行控制。

    半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
    7.
    发明公开
    半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序 有权 转让

    公开(公告)号：CN107924826A

    公开(公告)日：2018-04-17

    申请号：CN201580082736.0

    申请日：2015-09-28

    申请人： 株式会社日立国际电气

    发明人： 山口英人 ,  广地志有

    IPC分类号： H01L21/268

    CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

    摘要： 本发明可以提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。本发明能够提供一种具有以下工序的技术：通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理基板的处理温度，由非接触式温度计测定直至达到处理温度的隔热板的温度变化的工序；由加热装置将在基板保持器中保持的基板加热直至处理温度，由非接触式温度计测定直至达到处理温度的基板的温度变化的工序；根据隔热板的温度变化的测定结果与基板的温度变化的测定结果，取得隔热板与基板的温度变化的相关关系的工序；基于非接触式温度计所测定的隔热板的温度与相关关系，控制加热装置来加热基板的工序。