公开(公告)号：CN107026077A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710060001.9

申请日：2017-01-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 渡桥由悟 ,  森谷敦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。本发明的方法能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成掺杂有掺杂剂的晶种层的工序，所述循环包含对衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对衬底供给掺杂气体的工序；以及对衬底供给第三处理气体从而在晶种层上形成膜的工序。

公开(公告)号：CN103325676A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310103396.8

申请日：2013-03-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  广濑义朗

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置。抑制在低温区域产生异物且形成品质优良的薄膜。该半导体装置的制造方法包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在衬底上形成至少含有上述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对处理容器内的衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向薄膜形成后的处理容器内供给氮化气体而对附着于处理容器内的副产物进行改性。

公开(公告)号：CN103165438A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210549327.5

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: H01L21/3115

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。

公开(公告)号：CN105734531B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610115780.3

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。

公开(公告)号：CN107275183A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710166926.1

申请日：2017-03-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 渡桥由悟 ,  森谷敦

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。提高形成于衬底上的膜的膜品质。具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为交替进行对处理室内的衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对处理室内的衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，使供给第一处理气体的工序中的处理室内的压力大于供给第二处理气体的工序中的处理室内的压力。

公开(公告)号：CN103325676B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310103396.8

申请日：2013-03-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  广濑义朗

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/0228 ,  B08B7/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02263

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置。抑制在低温区域产生异物且形成品质优良的薄膜。该半导体装置的制造方法包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在衬底上形成至少含有上述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对处理容器内的衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向薄膜形成后的处理容器内供给氮化气体而对附着于处理容器内的副产物进行改性。

公开(公告)号：CN103165438B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210549327.5

申请日：2012-12-10

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广濑义朗 ,  佐野敦 ,  渡桥由悟 ,  桥本良知 ,  岛本聪

IPC: H01L21/3115

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31

Abstract: 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。

公开(公告)号：CN105609406B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510707965.9

申请日：2015-10-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  中矶直春 ,  渡桥由悟 ,  村上孝太郎

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11517

CPC classification number: H01L21/02609 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B25/04 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。

公开(公告)号：CN106920737A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611192433.7

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 渡桥由悟 ,  森谷敦

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。

公开(公告)号：CN107180749A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710118278.2

申请日：2017-03-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 渡桥由悟 ,  汤浅和宏 ,  森谷敦 ,  中矶直春

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0259 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。其目的在于，提高形成于衬底上的膜的膜品质。通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，循环包含对衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对衬底供给含氢气体的工序；以及对衬底供给第三处理气体从而在晶种层上形成膜的工序。