成膜装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103283011A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201180062688.0

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 一种成膜装置,具备:L/UL室;H室,与L/UL室连通;SP室,与H室连通,并且被分割为独立的第一空间和第二空间;成膜单元,分别配置在第一空间及第二空间中;真空排气装置,独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中,并用于分别真空排气这些的内部;四条线路,由贯通L/UL室及H室,并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成;运送装置,将被处理体沿着去路或回路运送;以及移动机构,在第一空间及第二空间的内部,将运送装置从去路向回路移动。

    用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置

    公开(公告)号:CN102097270A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010580566.8

    申请日:2010-12-09

    Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置,其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域,使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上,所述磁铁组设置在靶的下侧,在靶的上方形成隧道形的磁力线,所述述磁铁组包括:沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁,以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁,用以改变靶一侧的极性,还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部,即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。

    成膜装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103283011B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201180062688.0

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 一种成膜装置,具备:L/UL室;H室,与L/UL室连通;SP室,与H室连通,并且被分割为独立的第一空间和第二空间;成膜单元,分别配置在第一空间及第二空间中;真空排气装置,独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中,并用于分别真空排气这些的内部;四条线路,由贯通L/UL室及H室,并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成;运送装置,将被处理体沿着去路或回路运送;以及移动机构,在第一空间及第二空间的内部,将运送装置从去路向回路移动。

    阴极
    6.
    发明授权
    阴极 有权

    公开(公告)号:CN103314129B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201180065037.7

    申请日:2011-11-18

    Abstract: 该阴极(120)用于成膜装置(100),包括:靶(C)、控制部(E)以及磁场生成部(H),所述靶(C)被设置在所述成膜空间(50)内,且具有:具有第一主面(104a、214a)、第二主面(104b、214b)、第一侧面(111)和第二侧面(112)的背板(104、214),第一母材(105),第二母材(106),以及从所述第一侧面(111)向所述第二侧面(112)贯通所述背板(104、214)的旋转轴(107);所述控制部(E)使所述旋转轴(107)旋转,经由所述旋转轴(107)对所述靶(C)供给用于溅射的电力;所述磁场生成部(H)被设置在与从所述成膜空间(50)远离的所述背板(104、214)的面靠近的位置,以在所述第一母材(105)或所述第二母材(106)生成漏磁通。

    用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置

    公开(公告)号:CN102097270B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201010580566.8

    申请日:2010-12-09

    Abstract: 本发明提供一种用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置,其不必更换磁铁组即可简单地改变靶的腐蚀区域,使靶的使用效率高。在溅射室内以彼此相对设置的靶朝向基板的方向为上,所述磁铁组设置在靶的下侧,在靶的上方形成隧道形的磁力线,所述磁铁组包括:沿靶长度方向呈线状设置的中央磁铁,以及由中央磁铁两侧平行延伸的直线部和分别连接各直线部两端的拐弯部构成的无端头形状的周边磁铁,用以改变靶一侧的极性,还具有通过相对移动前述中央磁铁和周边磁铁的直线部,即可改变中央磁铁及周边磁铁彼此间隔的变更装置。

    阴极
    9.
    发明公开
    阴极 有权

    公开(公告)号:CN103314129A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201180065037.7

    申请日:2011-11-18

    Abstract: 该阴极(120)用于成膜装置(100),包括:靶(C)、控制部(E)以及磁场生成部(H),所述靶(C)被设置在所述成膜空间(50)内,且具有:具有第一主面(104a、214a)、第二主面(104b、214b)、第一侧面(111)和第二侧面(112)的背板(104、214),第一母材(105),第二母材(106),以及从所述第一侧面(111)向所述第二侧面(112)贯通所述背板(104、214)的旋转轴(107);所述控制部(E)使所述旋转轴(107)旋转,经由所述旋转轴(107)对所述靶(C)供给用于溅射的电力;所述磁场生成部(H)被设置在与从所述成膜空间(50)远离的所述背板(104、214)的面靠近的位置,以在所述第一母材(105)或所述第二母材(106)生成漏磁通。

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