公开(公告)号：CN103620746A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028713.8

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滨口纯一 ,  小平周司 ,  坂本勇太 ,  佐野昭文 ,  镰田恒吉 ,  门仓好之 ,  广石城司 ,  沼田幸展 ,  铃木康司

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。

公开(公告)号：CN108779548A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014668.3

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 坂本勇太 ,  沼田幸展 ,  小平周司

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。

公开(公告)号：CN108779548B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201780014668.3

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 坂本勇太 ,  沼田幸展 ,  小平周司

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。