公开(公告)号：CN102066605A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123959.1

申请日：2009-06-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森本直树 ,  近藤智保 ,  镰田恒吉 ,  中村久三

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源5。还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。

公开(公告)号：CN102471875A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080027811.0

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3447 ,  H01L21/2855

Abstract: 一种采用溅射法在被处理体的表面形成覆膜的成膜装置，包括：腔室，收纳以相互对置的方式配置的所述被处理体与作为所述覆膜之母材的靶；排气单元，对所述腔室内进行减压；磁场产生单元，在所述靶的溅射面的前方产生磁场；直流电源，向所述靶施加负的直流电压；气体导入单元，向所述腔室内导入溅射气体；以及防止溅射粒子向所述被处理体入射，直到在所述靶与所述被处理体之间产生的等离子体成为稳定状态为止的单元。

公开(公告)号：CN102471878B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080026236.2

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01L21/2855

Abstract: 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。

公开(公告)号：CN102471879A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026409.0

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76871

Abstract: 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。

公开(公告)号：CN102471879B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080026409.0

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/3452 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76871

Abstract: 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。

公开(公告)号：CN103620746A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028713.8

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滨口纯一 ,  小平周司 ,  坂本勇太 ,  佐野昭文 ,  镰田恒吉 ,  门仓好之 ,  广石城司 ,  沼田幸展 ,  铃木康司

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。

公开(公告)号：CN102471878A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026236.2

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01L21/2855

Abstract: 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。

公开(公告)号：CN102471877A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026167.5

申请日：2010-07-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小平周司 ,  吉浜知之 ,  镰田恒吉 ,  堀田和正 ,  滨口纯一 ,  中西茂雄 ,  丰田聪

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/351 ,  H01L21/76843

Abstract: 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，具有第一产生部(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部(13u)被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶(3)近的位置，所述第二产生部(13d)被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置。