公开(公告)号：CN103620746A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028713.8

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 滨口纯一 ,  小平周司 ,  坂本勇太 ,  佐野昭文 ,  镰田恒吉 ,  门仓好之 ,  广石城司 ,  沼田幸展 ,  铃木康司

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76882 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。