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公开(公告)号：CN112639158A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056231.5
申请日：2019-10-30
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 以高量产性且更均匀的膜厚分布在基板上形成膜。在成膜装置中，基板支架支撑至少一个与第一靶相向的基板，以第一中心轴为中心旋转，基板能够以偏离上述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转。真空容器收纳上述第一靶和基板支架。电力源向第一靶供给放电电力。气体供给机构向真空容器供给放电气体。在将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第二中心轴之间的距离设为Ds，将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第一靶的中心之间的距离设为Dt，将第一靶的半径设为R，将第一中心轴的方向上的第一靶与基板之间的距离设为H，将Ds与Dt的差的绝对值设为A的情况下，满足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的关系式。
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公开(公告)号：CN112771200A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062919.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/285
Abstract: 本发明的目的是提供一种可简便地设置与目标薄膜厚度对应的被处理基板的公转角速度和自转角速度的最佳值的成膜方法。本发明的成膜方法，其中在真空室(1)内，在同一平面内使被处理基板(Sw)绕公转轴(22)公转，并使被处理基板以被处理基板中心(Sc)为旋转中心自转，从成膜源(31、32)供给成膜材料在被处理基板表面形成规定的薄膜，所述成膜源配置在与自公转的被处理基板相对的真空室内的规定位置上,所述成膜方法包括设置工序，其中将形成的薄膜的目标薄膜厚度设为T，以一个公转周期中在基板上形成薄膜的薄膜厚度设为D，将基板的自转角速度相对于公转角速度的比α设置为满足式(1)的值(其中呈整数倍和半整数倍的情况除外)：α≥6/log10(T/D)(1)。
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公开(公告)号：CN108779548A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014668.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
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公开(公告)号：CN108779548B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201780014668.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
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公开(公告)号：CN102471875A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080027811.0
申请日：2010-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3447 , H01L21/2855
Abstract: 一种采用溅射法在被处理体的表面形成覆膜的成膜装置，包括：腔室，收纳以相互对置的方式配置的所述被处理体与作为所述覆膜之母材的靶；排气单元，对所述腔室内进行减压；磁场产生单元，在所述靶的溅射面的前方产生磁场；直流电源，向所述靶施加负的直流电压；气体导入单元，向所述腔室内导入溅射气体；以及防止溅射粒子向所述被处理体入射，直到在所述靶与所述被处理体之间产生的等离子体成为稳定状态为止的单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102449741B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080022769.3
申请日：2010-07-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/321 , H01L21/32131 , H01L21/76883
Abstract: 一种覆膜表面处理方法，其特征在于，包括：使用在被成膜面上形成有微细的孔或槽的基体(21)，在包含该孔或槽的内壁面和内底面的所述基体(21)的整个面上形成覆膜(22)；以及通过对所述覆膜(22)的表面实施等离子体处理，从而使在所述孔或槽的所述内壁面上形成的所述覆膜(23)平坦化。
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公开(公告)号：CN102471878B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080026236.2
申请日：2010-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/351 , H01L21/2855
Abstract: 该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，产生垂直磁场而使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间通过；第三磁场产生部(18)，从所述第二磁场产生部(13)来看，相比于所述靶被配置在上游侧。
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公开(公告)号：CN102471879A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080026409.0
申请日：2010-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/35 , C23C14/351 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76871
Abstract: 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。
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公开(公告)号：CN102471879B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080026409.0
申请日：2010-07-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , H01L21/285 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/3405 , C23C14/35 , C23C14/351 , H01J37/3452 , H01L21/2855 , H01L21/76871
Abstract: 该成膜装置(1)，包括：腔室(2)，具有内部空间和侧壁，在所述内部空间中，以欲形成覆膜(L)的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)和所述靶(3)这两者；排气部(12)，对所述腔室(2)内进行减压；第一磁场产生部(4)，在露出所述溅射面(3a)的所述内部空间中产生磁场；直流电源(9)，向所述靶(3)施加负的直流电压；气体导入部(11)，向所述腔室(2)内导入溅射气体；第二磁场产生部(13)，配置在靠近所述靶(3)的位置，产生磁场使垂直的磁力线在与所述靶(3)相邻的位置上通过；以及第三磁场产生部(18)，配置在靠近所述被处理体(W)的位置，产生磁场以将所述磁力线向所述腔室(2)的所述侧壁诱导。
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公开(公告)号：CN103620746A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280028713.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76882 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/34 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76879 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。
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