公开(公告)号：CN109075190A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026899.6

申请日：2017-02-23

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  Z.卢 ,  A.楚 ,  K.山口 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  Y.李 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： 本发明公开了一种半导体结构，所述半导体结构包括存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应绝缘层和相应导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁。至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者。

公开(公告)号：CN108431955B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201680076109.0

申请日：2016-12-16

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  张艳丽 ,  Z.卢 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  D.毛

IPC分类号： H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11526

摘要： 一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。

公开(公告)号：CN107810552B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201680036417.0

申请日：2016-06-10

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： Z.卢 ,  D.毛 ,  T.张 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  W.史 ,  H.钱

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  H01L21/311 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/788

摘要： 一种形成三维存储器装置的方法，包含在基板之上形成绝缘材料层和第一牺牲材料层的下部堆叠体结构，穿过下部堆叠体结构形成第一存储器开口并用牺牲填充材料填充第一存储器开口，用第一导电层替换第一牺牲材料层，在替换第一牺牲材料层之后在下部堆叠体结构之上形成绝缘和第二牺牲材料层的上部堆叠体结构，在上覆于第一存储器开口的区域中穿过上部堆叠体结构形成第二存储器开口，用第二导电层替换第二牺牲材料层，从第二存储器开口下方的第一存储器开口移除牺牲填充材料，以在替换第二牺牲材料层之后形成堆叠体间存储器开口，以及在堆叠体间存储器开口内形成存储器堆叠体结构。

公开(公告)号：CN107810554A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680037025.6

申请日：2016-06-08

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： Z.卢 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  D.毛 ,  S.史 ,  S.科卡 ,  R.S.马卡拉 ,  G.马塔米斯 ,  李耀升 ,  C.葛

IPC分类号： H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

CPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

摘要： 单片三维存储器器件包含含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块。每个存储器子区块包含存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕存储器堆叠体结构的集的部分。交替层包含绝缘层和导电层。相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔。交替层的子集在相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸，穿过沿着第二水平方向横向地间隔开的背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在相邻存储器子区块的对之间提供连接部分。

公开(公告)号：CN108431956B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201780004961.1

申请日：2017-02-10

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  Z.卢 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  S.T.李 ,  李耀升 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC分类号： H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27

摘要： 可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。

公开(公告)号：CN107771356B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201680036404.3

申请日：2016-06-09

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： Z.卢 ,  D.毛 ,  K.宫田 ,  J.有吉 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  G.马塔米斯 ,  W.史 ,  J.许 ,  X.胡 ,  A.林 ,  J.余

IPC分类号： H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02

摘要： 提供了一种制造存储器器件的方法，所述方法包括在半导体基板之上形成绝缘体层和间隔体材料层的第一交替堆叠体，蚀刻所述第一交替堆叠体以暴露单晶半导体材料，在所述单晶半导体材料上形成第一外延半导体基座，使得所述第一外延半导体基座与所述单晶半导体材料外延对齐，通过所述第一交替堆叠体形成存储器堆叠结构的阵列，以及在所述第一外延半导体基座之上形成至少一个半导体器件。

公开(公告)号：CN108886041A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680076407.X

申请日：2016-12-20

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  Z.卢 ,  D.毛 ,  张艳丽 ,  A.塞罗夫 ,  C.葛 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/7926

摘要： 可以在绝缘层和导电层的交替堆叠体中的导电层的每级处形成离散的硅氮化物部分。离散的硅氮化物部分可以用作电荷俘获材料部分，其每一个由前侧上的隧穿电介质部分以及背侧上的阻挡电介质部分横向地接触。隧穿电介质部分可以形成为离散的材料部分或隧穿电介质层内的部分。阻挡电介质部分可以形成为离散的材料部分或阻挡电介质层内的多个部分。可以通过沉积电荷俘获材料层并且在绝缘层的级处选择性地移除电荷俘获材料层的部分来形成离散的硅氮化物部分。可以采用各种方案来单体化电荷俘获材料层。

公开(公告)号：CN110088905B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201780062369.7

申请日：2017-09-07

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.余 ,  K.北村 ,  张彤 ,  C.葛 ,  张艳丽 ,  S.清水 ,  Y.笠木 ,  小川裕之 ,  D.毛 ,  K.山口 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  J.凯 ,  K.松本 ,  Y.正森

IPC分类号： H10B43/27 ,  H10B43/40

摘要： 掩埋源极层的源极带结构和存储器结构内的半导体沟道之间的接触面积可以通过横向扩展其中形成存储器堆叠结构的源极级体积进行增加。在一个实施方案中，可以在形成绝缘层和牺牲材料层的垂直交替堆叠体之前在源极级存储器开口中形成牺牲半导体基座。存储器开口可以包括通过移除牺牲半导体基座形成的凸出部分。存储器堆叠结构可以形成为在凸出部分中具有较大的侧壁表面积，以提供与源极带结构较大的接触面积。或者，在形成存储器开口期间或之后，可以相对于上部部分选择性地扩展存储器开口的底部部分，以提供凸出部分并增加与源极带结构的接触面积。

公开(公告)号：CN109075175B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201780026897.7

申请日：2017-02-21

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： Z.卢 ,  J.于 ,  J.阿尔斯梅尔 ,  F.富山 ,  Y.水谷 ,  小川裕之 ,  C.葛 ,  D.毛 ,  张艳丽 ,  A.楚 ,  Y.李

IPC分类号： H10B43/23 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27

摘要： 本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。

公开(公告)号：CN108886041B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201680076407.X

申请日：2016-12-20

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： J.于 ,  Z.卢 ,  D.毛 ,  张艳丽 ,  A.塞罗夫 ,  C.葛 ,  J.阿尔斯梅尔

IPC分类号： H10B43/35 ,  H10B43/27

摘要： 可以在绝缘层和导电层的交替堆叠体中的导电层的每级处形成离散的硅氮化物部分。离散的硅氮化物部分可以用作电荷俘获材料部分，其每一个由前侧上的隧穿电介质部分以及背侧上的阻挡电介质部分横向地接触。隧穿电介质部分可以形成为离散的材料部分或隧穿电介质层内的部分。阻挡电介质部分可以形成为离散的材料部分或阻挡电介质层内的多个部分。可以通过沉积电荷俘获材料层并且在绝缘层的级处选择性地移除电荷俘获材料层的部分来形成离散的硅氮化物部分。可以采用各种方案来单体化电荷俘获材料层。