公开(公告)号：CN117117038A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311188579.4

申请日：2023-09-14

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈骏 ,  赵增超 ,  李兵 ,  沈永臻 ,  刘湘祁 ,  周小荣 ,  黄嘉斌 ,  谢湘洲 ,  邓新新

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种TOPCon电池结构及其制备方法，包括以下步骤：对硅基体双面制绒；在正面依次沉积隧穿氧化硅层、硼掺杂非晶硅层、碱刻蚀阻挡层和硼掺杂非晶硅层；在正面栅线区域进行图形化掩膜、碱刻蚀；去除正面栅线区域的图形化掩膜；在背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂非晶硅层，退火处理；在沉积钝化层、减反层、印刷电极，烧结和注入。本发明，采用图形化掩膜+碱刻蚀阻挡层+碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly‑finger结构，有利于显著提升电池效率，也能够有效拓宽工艺窗口，具有工艺简单、工艺窗口宽、易于操作、能耗低、易量产等优点，有利于降低制备成本和制备难度，可实现TOPCon电池的批量化生产以及广泛应用。

公开(公告)号：CN115528141A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211303546.5

申请日：2022-10-24

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈骏 ,  赵增超 ,  黄嘉斌 ,  李明 ,  谢湘洲 ,  周小荣 ,  刘湘祁 ,  李兵 ,  申凯琳

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/22

摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。

公开(公告)号：CN117790631A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311831790.3

申请日：2023-12-27

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈骏 ,  李明 ,  赵增超 ,  刘湘祁 ,  李兵

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068

摘要： 本发明公开了一种基于TOPCon电池的二次硼扩常压退火工艺及系统，工艺包括：控制炉管内外压力一致，通入N2，将引入SE后的硅片送入炉管内；将温度升至800℃～850℃并保温；再将温度升至860℃～970℃并保温；停止通N2，通入O2进行氧化；将温度升至980℃～1050℃继续氧化；保持通O2进行干氧化，或先通O2进行干氧化，然后在保持通O2的同时通H2O进行湿氧化；保持通O2，将温度降至800℃～900℃；将温度降至800℃～840℃，停止通O2，重新通入N2，取出石英舟。该工艺所制硅片的性能优于负压退火工艺，氧化效率高、氧化层更厚，还克服了负压氧化炉管易变形损坏、隔膜泵易堵塞的缺陷。

公开(公告)号：CN117497628A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311520474.4

申请日：2023-11-14

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 李兵 ,  陈骏 ,  赵增超 ,  成秋云 ,  李明

IPC分类号： H01L31/0745 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0336

摘要： 本发明公开了一种双面隧穿钝化接触太阳能电池结构及其制备方法，该结构包括硅基体，以及其正面非金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层和正面减反层或透明导电氧化物薄膜，正面金属化区域设置的正面隧穿氧化层、第一N型掺杂多晶硅层、N型掺杂碳化硅层、第二N型掺杂多晶硅层、正面减反层或透明导电氧化物薄膜和正面电极，并形成欧姆接触。本发明中，在电池正面金属化区域和非金属化区域构建隧穿接触结构，不仅可以提高正面钝化效果，而且也能减少正面寄生吸收，提高正面光学利用率，从而构建得到钝化效果好、转换效率高的双面隧穿钝化接触电池结构，对于实现TOPCon电池的广泛应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN116994944A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310898075.5

申请日：2023-07-20

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 谢卓敏 ,  陈骏 ,  李明 ,  龙辉 ,  赵增超 ,  李兵 ,  刘湘祁

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种改善硼扩散方阻均匀性工艺，包括以下步骤：在硅片表面沉积硼层，升温至第一推进温度，对硅片进行无氧推进，载入氧气，升温至第二推进温度，对硅片进行有氧推进，完成对硅片的硼扩散处理，其中第二推进温度高于所述第一推进温度。本发明改善硼扩散方阻均匀性工艺，不仅可以克服硼扩散高温掺杂过程中掺杂不匀的问题，尤其是在低浓度低掺杂过程中的不均匀问题，而且能够显著改善掺杂均匀性和方阻均匀性，以及降低表面复合，进而有利于提高电池的开路电压和短路电流，获得电性能优异的太阳能电池，具有工艺简单、操作方便、成本较低等优点，利于实现规模化生产和广泛应用，使用价值高，应用前景好。

公开(公告)号：CN217600917U

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202220736594.2

申请日：2022-03-31

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 陈骏 ,  赵增超 ,  李明 ,  黄嘉斌 ,  谢湘洲 ,  周小荣 ,  刘湘祁 ,  申凯琳

IPC分类号： C30B31/00

摘要： 本实用新型公开了一种硼扩散炉的炉口双密封装置，包括：炉门、炉管和石英环；所述炉管为一端开口的管状结构，且炉管的开口端外周与石英环内侧密封连接，炉管与石英环形成一体结构；所述石英环的外轮廓呈阶梯形，所述炉门的内侧呈凹形，且炉门内侧设有双层密封结构，所述石英环与炉门嵌套连接，以实现硼扩散炉的炉口密封。本实用新型的炉口双密封装置具有结构紧凑、安装便捷、密封效果显著且密封圈使用寿命长等优点，提高了反应室内的密封可靠性，降低了设备运行和维护的成本。