公开(公告)号：CN105789307A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66477

摘要： 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。

公开(公告)号：CN104425587A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410440432.4

申请日：2014-09-01

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 河合彻 ,  秋山丰 ,  中柴康隆

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 场极板导致了阻碍高速晶体管切换的过量栅极电容。为了抑制过量栅极电容，开口包括定位在漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在源极电极一侧的第二侧壁。同时，栅极电极包括从俯视图看面对漏极电极的第一侧表面。栅极电极的第一侧表面从平面图看定位在第一侧壁与第二侧壁的内侧。另外，第一场极板的一部分嵌入在第一侧表面与第一侧壁之间。栅极电极与第一场极板通过第一绝缘构件电绝缘。

公开(公告)号：CN105789307B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

摘要： 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。

公开(公告)号：CN104111132B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201410155975.1

申请日：2014-04-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 秋山丰 ,  中柴康隆

IPC分类号： G01L1/20

摘要： 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

公开(公告)号：CN104111132A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410155975.1

申请日：2014-04-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 秋山丰 ,  中柴康隆

IPC分类号： G01L1/20

CPC分类号： G01L9/005 ,  G01L9/0055 ,  H01L29/84 ,  H01L41/113

摘要： 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。