公开(公告)号：CN108091563A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711457463.0

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN104412372B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201380033466.5

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN103972254B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410027529.2

申请日：2014-01-21

申请人： 索尼公司

发明人： 山口哲司 ,  长畑和典 ,  三浦利仁 ,  泷本香织

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/307

摘要： 一种固态摄像装置，包括具有多个单元像素的像素部分，该多个单元像素二维地设置成矩阵形式，其中单元像素包括表面相邻于多层配线层的第一导电类型的导电区域和形成在第一导电区域内的第二导电类型的电荷累积区域，其中电荷累积区域由分隔部分与导电区域相邻于多层配线层的表面分隔，并且包括设置在导电区域中的接触体，该接触体电连接电荷累积区域和多层配线层的外部配线。

公开(公告)号：CN108091564A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711458678.4

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN104412372A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380033466.5

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN108172562A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711458686.9

申请日：2013-06-19

申请人： 索尼公司

发明人： 胁山悟 ,  冈本正喜 ,  大冈丰 ,  庄子礼二郎 ,  财前义史 ,  长畑和典 ,  羽根田雅希

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L27/146 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。

公开(公告)号：CN102468315B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110344609.7

申请日：2011-11-04

申请人： 索尼公司

发明人： 西木户健树 ,  长畑和典

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L23/482 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/335 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种固态成像装置和电子设备，该固态成像装置包括：像素区域，形成在半导体衬底上；该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域；多层布线层，形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在该支撑衬底的该接合表面侧。

公开(公告)号：CN103972254A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410027529.2

申请日：2014-01-21

申请人： 索尼公司

发明人： 山口哲司 ,  长畑和典 ,  三浦利仁 ,  泷本香织

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14667 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/307

摘要： 一种固态摄像装置，包括具有多个单元像素的像素部分，该多个单元像素二维地设置成矩阵形式，其中单元像素包括表面相邻于多层配线层的第一导电类型的导电区域和形成在第一导电区域内的第二导电类型的电荷累积区域，其中电荷累积区域由分隔部分与导电区域相邻于多层配线层的表面分隔，并且包括设置在导电区域中的接触体，该接触体电连接电荷累积区域和多层配线层的外部配线。

公开(公告)号：CN102468315A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110344609.7

申请日：2011-11-04

申请人： 索尼公司

发明人： 西木户健树 ,  长畑和典

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L23/482 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/335 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种固态成像装置和电子设备，该固态成像装置包括：像素区域，形成在半导体衬底上；该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域；多层布线层，形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在该支撑衬底的该接合表面侧。