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公开(公告)号：CN102751234B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210103629.X
申请日：2012-04-10
申请人： 索尼公司
发明人： 冈本正喜
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L27/146
CPC分类号： H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/27 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L2224/24145 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/9205 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/06544 , H01L2924/0715 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H04N5/378 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备，所述制造方法包括：接合第一和第二半导体晶片，第一半导体晶片包括第一基板和第一绝缘层，第二半导体晶片包括第二基板和第二绝缘层；形成第三绝缘层；进行蚀刻以使得在第二布线层上留下第二绝缘层，由此形成第一连接孔；在第一连接孔上形成绝缘膜；对第二绝缘层和绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔且使第二布线层露出；在连接孔内部形成第一过孔，且使第一过孔连接至第二布线层，形成于第一基板的另外一个表面处的第一连接孔的直径大于形成于第三绝缘层处的第一连接孔的直径。根据本发明，可对层叠有半导体晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻而对基板或布线造成的影响。
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公开(公告)号：CN108172562A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711458686.9
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L27/146 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN107068638A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611064252.6
申请日：2012-04-10
申请人： 索尼公司
发明人： 冈本正喜
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子设备，所述固体摄像装置包括：第一晶片，其包括第一布线层；第二晶片，其包括第二布线层；第三晶片，其包括第三布线层；第一连接层，其布置在第一和第二晶片之间；第二连接层，其布置在第二和第三晶片之间；第一过孔，其从第一晶片布置至第二晶片，其中，第一过孔贯穿第一连接层；第二过孔，其布置在第二晶片中；第三过孔，其布置成穿过第二晶片并到达第三晶片，第三过孔贯穿第二连接层；以及连接部，其布置在第二晶片中，第一过孔电连接至第一布线层中的布线，且连接至第二晶片中的连接部。根据本发明，可对层叠有晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻对基板或布线造成的影响。
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公开(公告)号：CN108091563A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711457463.0
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN104412372B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380033466.5
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN102751234A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210103629.X
申请日：2012-04-10
申请人： 索尼公司
发明人： 冈本正喜
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538 , H01L27/146 , H04N5/225 , H04N1/04 , H04N5/335
CPC分类号： H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/27 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L2224/24145 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/9205 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/06544 , H01L2924/0715 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H04N5/378 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备，所述制造方法包括：接合第一和第二半导体晶片，第一半导体晶片包括第一基板和第一绝缘层，第二半导体晶片包括第二基板和第二绝缘层；形成第三绝缘层；进行蚀刻以使得在第二布线层上留下第二绝缘层，由此形成第一连接孔；在第一连接孔上形成绝缘膜；对第二绝缘层和绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔且使第二布线层露出；在连接孔内部形成第一过孔，且使第一过孔连接至第二布线层，形成于第一基板的另外一个表面处的第一连接孔的直径大于形成于第三绝缘层处的第一连接孔的直径。根据本发明，可对层叠有半导体晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻而对基板或布线造成的影响。
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公开(公告)号：CN107068638B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201611064252.6
申请日：2012-04-10
申请人： 索尼公司
发明人： 冈本正喜
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子设备，所述固体摄像装置包括：第一晶片，其包括第一布线层；第二晶片，其包括第二布线层；第三晶片，其包括第三布线层；第一连接层，其布置在第一和第二晶片之间；第二连接层，其布置在第二和第三晶片之间；第一过孔，其从第一晶片布置至第二晶片，其中，第一过孔贯穿第一连接层；第二过孔，其布置在第二晶片中；第三过孔，其布置成穿过第二晶片并到达第三晶片，第三过孔贯穿第二连接层；以及连接部，其布置在第二晶片中，第一过孔电连接至第一布线层中的布线，且连接至第二晶片中的连接部。根据本发明，可对层叠有晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻对基板或布线造成的影响。
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公开(公告)号：CN108091564A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711458678.4
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN104412372A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033466.5
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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