公开(公告)号：CN107799523A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710751871.0

申请日：2017-08-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/76897 ,  H01L28/91 ,  H01L27/10838 ,  H01L27/10852

摘要： 本申请案涉及存储器单元、形成双晶体管单电容器存储器单元阵列的方法及用于制作集成电路的方法。存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于所述第一晶体管及所述第二晶体管上方。所述电容器包括：容器状第一导电电容器节点，其与所述第一晶体管的第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其与所述第二晶体管的第一电流节点电耦合；及电容器电介质材料，其位于所述第一电容器节点与所述第二电容器节点之间。所述电容器电介质材料跨越所述容器状第一电容器节点的顶部延伸。本发明揭示额外实施例及方面，包含方法。

公开(公告)号：CN103765583B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201280039265.1

申请日：2012-07-16

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146

摘要： 一些实施例包含存储器单元。存储器单元可含有在一对电极之间的切换区域及离子源区域。所述切换区域可经配置以可逆地保持导电桥，其中所述存储器单元在所述导电桥保持于所述切换区域内时处于低电阻性状态中且在所述导电桥不在所述切换区域内时处于高电阻性状态中。所述存储器单元可含有延伸跨越所述切换区域以定向所述切换区域内的所述导电桥的有序框架，其中所述框架在所述存储器单元的所述高电阻性状态及所述低电阻性状态两者中保持于所述切换区域内。

公开(公告)号：CN104272394A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380021409.5

申请日：2013-03-13

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/005 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C14/00 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092

摘要： 各种实施例包括具有若干个存储器单元的设备，所述设备包含：驱动电路，其用以提供选定持续时间及/或振幅的信号脉冲；以及电阻改变存储器单元阵列，其电耦合到所述驱动电路。可基于所述所接收信号脉冲针对保持时间周期及操作速度的范围编程所述电阻改变存储器单元。描述额外设备及方法。

公开(公告)号：CN107799523B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201710751871.0

申请日：2017-08-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

摘要： 本申请案涉及存储器单元、形成双晶体管单电容器存储器单元阵列的方法及用于制作集成电路的方法。存储器单元包括相对于彼此横向位移的第一晶体管及第二晶体管。电容器位于所述第一晶体管及所述第二晶体管上方。所述电容器包括：容器状第一导电电容器节点，其与所述第一晶体管的第一电流节点电耦合；第二导电电容器节点，其与所述第二晶体管的第一电流节点电耦合；及电容器电介质材料，其位于所述第一电容器节点与所述第二电容器节点之间。所述电容器电介质材料跨越所述容器状第一电容器节点的顶部延伸。本发明揭示额外实施例及方面，包含方法。

公开(公告)号：CN104272394B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201380021409.5

申请日：2013-03-13

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/005 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C14/00 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092

摘要： 各种实施例包括具有若干个存储器单元的设备，所述设备包含：驱动电路，其用以提供选定持续时间及/或振幅的信号脉冲；以及电阻改变存储器单元阵列，其电耦合到所述驱动电路。可基于所述所接收信号脉冲针对保持时间周期及操作速度的范围编程所述电阻改变存储器单元。描述额外设备及方法。

公开(公告)号：CN103765583A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280039265.1

申请日：2012-07-16

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146

摘要： 一些实施例包含存储器单元。存储器单元可含有在一对电极之间的切换区域及离子源区域。所述切换区域可经配置以可逆地保持导电桥，其中所述存储器单元在所述导电桥保持于所述切换区域内时处于低电阻性状态中且在所述导电桥不在所述切换区域内时处于高电阻性状态中。所述存储器单元可含有延伸跨越所述切换区域以定向所述切换区域内的所述导电桥的有序框架，其中所述框架在所述存储器单元的所述高电阻性状态及所述低电阻性状态两者中保持于所述切换区域内。

公开(公告)号：CN112967926A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110354365.4

申请日：2016-03-11

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本申请涉及使用自组装核酸形成纳米结构的方法及其纳米结构。本发明揭示一种形成纳米结构的方法，其包括在图案化衬底上形成核酸结构的定向自组装。所述图案化衬底包括多个区域。所述图案化衬底上的所述区域中的每一者经具体调适用于所述定向自组装中的特定核酸结构的吸附。

公开(公告)号：CN105359271B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480037857.9

申请日：2014-06-05

申请人： 美光科技公司

发明人： D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 ,  斯科特·E·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/11578

CPC分类号： H01L27/249 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

摘要： 本发明提供三维存储器阵列及其形成方法。实例三维存储器阵列可包含：堆叠，其包括通过至少绝缘材料彼此分离的多个第一导电线；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线延伸，使得所述至少一个导电延伸部与所述多个第一导电线中的每一者交叉。存储元件材料经布置成围绕所述至少一个导电延伸部，且选择装置经布置成围绕所述存储元件材料。所述存储元件材料径向邻近于使所述多个第一导电线分离的绝缘材料，且经布置成围绕所述存储元件材料的多个材料径向邻近于所述多个第一导电线中的每一者。

公开(公告)号：CN103733339B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280039517.0

申请日：2012-06-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 斯科特·E·西里斯

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/1273 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

摘要： 本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一个此存储器单元包含：第一电极，其具有相对于所述第一电极的底面成小于90度角的侧壁；第二电极，其包含所述第二电极的电极接触部分，所述电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁，其中所述第二电极在所述第一电极上方；及存储元件，其介于所述第一电极与所述第二电极的所述电极接触部分之间。

公开(公告)号：CN105359271A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037857.9

申请日：2014-06-05

申请人： 美光科技公司

发明人： D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 ,  斯科特·E·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/249 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

摘要： 本发明提供三维存储器阵列及其形成方法。实例三维存储器阵列可包含：堆叠，其包括通过至少绝缘材料彼此分离的多个第一导电线；及至少一个导电延伸部，其经布置以实质上垂直于所述多个第一导电线延伸，使得所述至少一个导电延伸部与所述多个第一导电线中的每一者交叉。存储元件材料经布置成围绕所述至少一个导电延伸部，且选择装置经布置成围绕所述存储元件材料。所述存储元件材料径向邻近于使所述多个第一导电线分离的绝缘材料，且经布置成围绕所述存储元件材料的多个材料径向邻近于所述多个第一导电线中的每一者。