公开(公告)号：CN101006569B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200580028272.1

申请日：2005-07-29

申请人： 英特尔公司

发明人： N·林德特 ,  S·达塔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·多茨 ,  M·梅茨 ,  J·布拉斯克 ,  R·曹 ,  M·博尔 ,  A·墨菲

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： 可以利用栅结构作为掩模来形成源和漏区域。然后栅结构可以被去除以形成间隙且隔离物可以形成在间隙内以限定沟槽。在于基底内形成沟槽的过程中，源漏区域的部分被去除。然后基底填充回外延材料且在外延材料上形成新的栅结构。作为结果，可以实现更突变的源漏结。

公开(公告)号：CN100527437C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200580010856.6

申请日：2005-03-28

申请人： 英特尔公司

发明人： B·多伊尔 ,  S·A·哈尔兰德 ,  M·多茨 ,  R·仇

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： 一种晶体管包括在形成于衬底上的栅电介质层上形成的栅电极。在栅电极的横向相对侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源/漏区。栅电极具有形成于栅电介质层上和源区与漏区之间的衬底区上方的中心部分，以及与一部分源/漏区重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数，并且所述侧壁部分对具有第二功函数，其中第二功函数与第一功函数不同。

公开(公告)号：CN101027770A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032440.4

申请日：2005-09-16

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  C·巴恩斯 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·曹

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/823828

摘要： 一种互补金属氧化物半导体集成电路可以由NMOS晶体管和PMOS晶体管形成，所述这些晶体管具有在半导体衬底之上的高介电常数的栅极电介质材料。金属阻挡层可以形成在栅极电介质上。功函数设定金属层形成在金属阻挡层上，并且覆盖金属层形成在功函数设定金属层上。

公开(公告)号：CN1873922A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200510129150.3

申请日：2005-11-02

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·仇

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。

公开(公告)号：CN101095223B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200580030142.1

申请日：2005-08-22

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  U·邵 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·纳吉塞蒂 ,  R·曹

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一介电层，在第一介电层之内形成沟槽，以及在衬底上形成第二介电层。第二介电层具有形成于沟槽中的第一部分，以及第二部分。在于所述第二介电层的所述第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，将部分所述第一金属层转变为具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：CN100524660C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200580029665.4

申请日：2005-06-30

申请人： 英特尔公司

发明人： J·布拉斯克 ,  C·巴恩斯 ,  M·多茨 ,  U·夏 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  A·米勒 ,  R·曹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成介电层、在介电层内形成沟槽、和在沟槽内形成高k栅介电层。在高k栅介电层上形成第一金属层之后，在该第一金属层上形成第二金属层。利用抛光步骤从该介电层上除去第二金属层的至少一部分，并且利用刻蚀步骤从该介电层上除去另外的材料。

公开(公告)号：CN1973368A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580021138.9

申请日：2005-06-24

申请人： 英特尔公司

发明人： M·梅茨 ,  S·达塔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  R·乔

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823857

摘要： 可以利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。可以例如通过置换过程形成不同的栅介质。作为多个示例，栅介质可以在材料、厚度或形成技术上不同。

公开(公告)号：CN101133498B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200680006840.2

申请日：2006-01-03

申请人： 英特尔公司

发明人： S·达塔 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利洛斯 ,  M·梅茨 ,  M·多茨 ,  R·曹

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/66871 ,  H01L29/7784

摘要： 可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，然后可以沉积金属栅极。结果，源极和漏极得以与金属栅极自对准。此外，金属栅极通过该高介电常数材料而与下面的阻挡层隔离。

公开(公告)号：CN1873922B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200510129150.3

申请日：2005-11-02

申请人： 英特尔公司

发明人： M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·梅茨 ,  S·达塔 ,  R·仇

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。

公开(公告)号：CN1973368B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200580021138.9

申请日：2005-06-24

申请人： 英特尔公司

发明人： M·梅茨 ,  S·达塔 ,  J·卡瓦利罗斯 ,  M·多茨 ,  J·布拉斯克 ,  R·乔

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823857

摘要： 可以利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。可以例如通过置换过程形成不同的栅介质。作为多个示例，栅介质可以在材料、厚度或形成技术上不同。