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公开(公告)号：CN105280638B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201510294573.4
申请日：2015-06-02
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/082 , H01L29/78 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及包括沟槽结构的半导体器件。半导体器件包括中央部分和在中央部分之外的边缘终止部分。中央部分包括在半导体衬底中的晶体管单元阵列。晶体管单元阵列的晶体管单元的部件被设置在半导体衬底中的邻近沟槽结构中。沟槽结构在平行于半导体衬底的主表面的第一线性方向上延伸。沟槽结构包括在平行于中央部分中的主表面的平面中的多个级连的沟槽段，沟槽段中的至少一个沟槽段连接一个沟槽结构的第一点和第二点，第一点和第二点沿着第一线性方向布置。沟槽段包括在不同于第一方向的方向上伸展的一部分。
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公开(公告)号：CN110391202A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910307649.0
申请日：2019-04-17
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： O.布兰克
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/48
摘要： 本发明涉及半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法。在实施例中，提供了一种半导体晶片，其包括多个组件位置，其中划线区域定位在组件位置邻近和之间中的至少一个。组件位置包括有源器件结构。至少一个辅助结构位于划线区域中的一个或多个中。辅助结构电耦合到包括钨的辅助接触焊盘。
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公开(公告)号：CN105374858B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510498813.2
申请日：2015-08-14
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及具有锥形栅极结构的半导体器件和方法。半导体器件包括具有与第二表面垂直地间隔开的第一表面的半导体主体。第一沟槽从第一表面垂直地延伸到半导体主体中，并包括在平行于第一表面的横向方向上跨越半导体主体延伸的第一和第二侧壁。场电极被布置在第一沟槽中，并通过场电介质与半导体主体电绝缘。第一栅电极被布置在第一沟槽中。第一栅电极通过场电介质与场电极电绝缘，并通过第一栅极氧化物与半导体主体电绝缘。第一栅电极包括在横向方向上连续地连接并邻近于彼此的加宽和锥形部分。第一栅极氧化物与在横向方向上的第一侧壁形成非垂直角。
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公开(公告)号：CN105321992A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510410512.X
申请日：2015-07-14
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要： 本发明涉及包括场电极的半导体器件。半导体器件包括邻近于在半导体衬底（100）中的主体区（125）的栅电极（132）。半导体器件还包括在主表面（110）中的场板沟槽（140）中的场电极（132），场板沟槽（140）具有在平行于主表面（110）的第一方向上的延伸长度。该延伸长度小于在与平行于主表面的第一方向垂直的第二方向上的延伸长度的两倍。在第一方向上的延伸长度大于在第二方向上的延伸长度的一半。场电极（132）借助于场电介质层与邻近的漂移区段绝缘。场电极的场板材料具有在从105到10-1Ohm.cm的范围内的电阻率。
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公开(公告)号：CN104051524A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310082895.3
申请日：2013-03-15
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括第一导电类型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸；复合中心，用于增加载流子复合。
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公开(公告)号：CN105720055B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201510947752.3
申请日：2015-12-17
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L27/085
摘要： 本发明涉及可缩放电流感测晶体管。一种半导体器件包括主晶体管和感测晶体管。主晶体管被设置在半导体主体中并且包括多个区段，该多个区段经由设置在半导体主体之上的分离栅极电极单独可控制。感测晶体管被设置在与主晶体管相同的半导体主体中，并且具有与主晶体管相同数目的单独可控制区段。感测晶体管的每个单独可控制区段被配置成镜像流过主晶体管的单独可控制区段中的一个的电流，并且被连接到与主晶体管的该单独可控制区段相同的栅极电极。还提供了包括半导体器件的电子电路和输出表示由感测晶体管镜像的电流的电流感测信号的电流感测电路。
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公开(公告)号：CN110197827A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910140781.7
申请日：2019-02-26
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L27/082 , H01L27/088 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及具有栅极电阻器的晶体管。所公开的是一种晶体管器件，其具有至少一个栅电极（33）、连接到该至少一个栅电极（33）并且被布置在半导体本体（100）的顶部上的栅极流道（10）、以及被布置在半导体本体（100）的顶部上并且电连接到栅极流道（10）的栅极焊盘（20）。栅极流道（10）包括第一金属线（11）、在第一金属线（11）的顶部上的第二金属线（12）、第一栅极流道部分（101）和至少一个第二栅极流道部分（102）。至少一个第二栅极流道部分（102）被布置在第一栅极流道部分（101）与栅极焊盘（20）之间，并且第二金属线（12）在至少一个第二栅极流道部分（102）中的横截面积小于第二金属线（12）在第一栅极流道部分（101）中的横截面积的50%。
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公开(公告)号：CN105390530B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201510538350.8
申请日：2015-08-28
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
摘要： 本发明涉及具有规则布置场电极结构和终端结构的半导体器件。半导体器件（500）包括规则地布置在单元区域（610）中的行中并形成规则图案的第一部分的场电极结构（160）。终端结构（180）在围绕单元区域（610）的内边缘区域（691）中形成，其中终端结构（180）的至少部分形成规则图案的第二部分。单元台面（170）使场电极结构（160）的相邻场电极结构在单元区域（610）中彼此分离并包括漂移区（121）的第一部分（121a），其中施加到栅电极（150）的电压控制穿过单元台面（170）的电流流动。至少一个掺杂区（186）在内边缘区域（691）中与漂移区（121）形成同质结。
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公开(公告)号：CN110176430A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910125961.8
申请日：2019-02-20
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人： O.布兰克
IPC分类号： H01L21/78 , H01L23/544
摘要： 一种半导体晶片（200）具有：半导体本体（10）；半导体本体（10）上的绝缘层（11）；具有功率半导体管芯（100）的有效区域（210），该有效区域（210）形成半导体本体（10）的一部分；邻近有效区域（210）布置的划线区域（220）；钝化结构（13），其被布置在绝缘层（11）上方并且以便暴露绝缘层（11）的一部分（111），暴露部分（111）由钝化结构（13）的终止边缘（131）终止；光学可检测的参考特征（12），其被配置成在晶片分离处理阶段期间用作参考位置。光学可检测的参考特征（12）：（i）被包括在有效区域（210）中，（ii）从终止边缘（131）在空间上移位，以及（iii）通过钝化结构（13）暴露。
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公开(公告)号：CN105390549A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510538292.9
申请日：2015-08-28
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/765
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/78 , H01L21/765
摘要： 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体衬底结构，该半导体衬底结构包括单元区和围绕单元区的边缘终止区。进一步它包括从半导体衬底结构的表面到达衬底结构中的在单元区内的多个针形单元沟槽，以及在半导体衬底结构的表面处的围绕单元区的边缘终止区内的边缘终止沟槽。
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