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公开(公告)号：CN107342223A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710300570.6
申请日：2017-05-02
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737
摘要： 本发明公开用于制造双极结型晶体管的方法。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括：-提供包括第一导电类型的埋覆层的半导体衬底；-在集电极注入区中对半导体衬底进行掺杂，以获取平行于半导体衬底的表面并且从半导体衬底的表面延伸到埋覆层的第一导电类型的集电极注入；-在半导体衬底的表面上提供第二导电类型的基极层，基极层覆盖集电极注入；-在基极层上提供牺牲发射极结构，其中牺牲发射极结构的区域的投影被集电极注入的区域围起；-通过围绕被牺牲发射极结构覆盖的基极层的区域的基极层的区域部分地相反掺杂集电极注入。
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公开(公告)号：CN105655401A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510839929.8
申请日：2015-11-27
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/283 , H01L21/823487 , H01L27/0883 , H01L29/045 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/42376 , H01L29/66734 , H01L29/66909 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/8083 , H01L29/785 , H01L29/06 , H01L29/49 , H01L29/66795
摘要： 本发明涉及相邻半导体鳍形部间有场电极的半导体器件及其制造方法。半导体器件具有半导体鳍形部，所述半导体鳍形部被构造在半导体本体的基平面与主表面之间，并且在其中分别在主表面和沟道/本体区域之间构造源极区域，以及在沟道/本体区域和基平面之间构造漂移区。此外，半导体器件还包括分别在相应的沟道/本体区域的两个彼此对置的侧上的栅极电极结构以及在彼此相邻的半导体鳍形部之间的经过场电介质与漂移区分开的并且从主表面延伸直至基平面的场电极结构。被分配给彼此相邻的半导体鳍形部的栅极电极结构将场电极结构的上部分从至少两侧围住。
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公开(公告)号：CN106169464A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610336434.8
申请日：2016-05-20
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
CPC分类号： H01L29/7808 , H01L27/0629 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7805 , H01L29/7809 , H01L29/781 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L23/62 , H01L29/7302 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。
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公开(公告)号：CN104347721A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410385781.0
申请日：2014-08-07
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
发明人： S.特根
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L29/04 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/4236 , H01L29/78 , H01L29/7831 , H01L29/785
摘要： 公开了一种功率晶体管。功率晶体管包括许多晶体管单元。每个晶体管单元包括源极区、漏极区、本体区和栅极电极。每个源极区被布置在半导体本体的第一半导体翅片中。每个漏极区被至少部分地布置在半导体本体的第二半导体翅片中。第二半导体翅片沿半导体本体的第一水平方向与第一半导体翅片间隔开。每个栅极电极被布置在与第一半导体翅片相邻的沟槽中，与本体区相邻，并且通过栅极电介质与本体区介电绝缘。第一半导体翅片和第二半导体翅片的每一个具有在第一水平方向上的宽度和在第二水平方向上的长度，其中所述长度大于所述宽度。
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公开(公告)号：CN104051274B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410096705.8
申请日：2014-03-17
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/0273 , H01L21/28506 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/823437 , H01L21/823462 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/66795
摘要： 一种用于加工载体的方法可以包括：在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；以及部分地移除第一层，其中所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁部分地暴露。
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公开(公告)号：CN106340541A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610534209.5
申请日：2016-07-08
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/66666 , H01L29/4236 , H01L29/7827
摘要： 本发明涉及用于填充沟槽的方法和半导体器件。公开了一种方法，包括：在两个半导体鳍之间的半导体主体中形成第一沟槽；用第一填充材料填充第一沟槽；通过形成第二沟槽部分地去除第一填充材料，使得第二沟槽具有比第一沟槽低的深宽比；以及用第二填充材料填充第二沟槽，从而形成第一填充材料上的连续材料层。
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公开(公告)号：CN105655308A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510840013.4
申请日：2015-11-27
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L27/0883 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/45 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L24/26 , H01L24/83
摘要： 本发明涉及具有掩埋掺杂区域和接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括在距半导体本体（100）的主表面（101z）第一距离（d1）中的掩埋掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）从所述主表面（101z）延伸到所述掺杂区域（430, 129a, 110）。接触结构（410）包括由金属-半导体合金制成的直接邻接所述掺杂区域（430, 129a, 110）的接触层（411）。所述接触结构（410）还包括由金属或导电金属化合物制成的填充结构（412）。绝缘体结构（420）在平行于所述主表面（101z）的截面中包围所述接触结构（410）。
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公开(公告)号：CN104282626A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410314021.0
申请日：2014-07-03
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/02 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L21/764 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L27/0886 , H01L29/4236 , H01L29/66795 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7851
摘要： 公开了制造具有器件分离结构的半导体器件的方法及半导体器件。一种制造半导体器件的方法，包括：至少将包括阵列沟槽的第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中，其中，所述半导体衬底的阵列隔离部分分离所述第一沟槽图案和第二沟槽图案。在距所述第一表面的一定距离处的所述第一沟槽图案和第二沟槽图案中提供掩埋栅极电极结构。在单个蚀刻处理中，将具有第一宽度的器件分离沟槽引入到所述阵列隔离部分中，并且将至多具有比所述第一宽度更小的第二宽度的单元分离沟槽引入到所述各阵列沟槽之间的半导体翅片中。可以在通过成本有效的方式形成同一半导体管芯中所集成的开关器件。
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公开(公告)号：CN104282544A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410314000.9
申请日：2014-07-03
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/78 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L29/0696 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66553 , H01L29/66621 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/66477 , H01L29/7831
摘要： 公开了一种具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件。一种制造半导体器件的方法，包括：将至少第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中。包括所述半导体衬底的部分的阵列隔离区域分离所述第一沟槽图案和第二沟槽图案。至少所述第一沟槽图案包括阵列沟槽以及在结构上与所述阵列沟槽连接的接触沟槽。在距所述第一表面一定距离处，在所述第一沟槽图案和第二沟槽图案的下区段中提供掩埋栅极电极结构。在所述第一表面与所述接触沟槽中的所述栅极电极结构之间提供连接插入物。可以可靠地分离同一半导体部分中所集成的半导体开关器件的栅极电极，并且可以通过成本有效的方式有效地连接内部栅极电极。
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公开(公告)号：CN104051274A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410096705.8
申请日：2014-03-17
申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/0273 , H01L21/28506 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/823437 , H01L21/823462 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/66795
摘要： 一种用于加工载体的方法可以包括：在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；以及部分地移除第一层，其中所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁部分地暴露。
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