公开(公告)号：CN105609410B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201511035867.1

申请日：2015-11-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·海因里奇 ,  J·希尔施勒 ,  M·米希茨 ,  M·勒斯纳 ,  G·施特兰茨尔 ,  M·兹加加

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。

公开(公告)号：CN105609410A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511035867.1

申请日：2015-11-13

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·海因里奇 ,  J·希尔施勒 ,  M·米希茨 ,  M·勒斯纳 ,  G·施特兰茨尔 ,  M·兹加加

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03005 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。