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公开(公告)号:CN103855124B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201310597577.0
申请日:2013-11-22
申请人: 爱思开海力士有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03505 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0579 , H01L2224/05839 , H01L2224/05847 , H01L2224/11464 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:半导体结构,在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口;第一导电层,形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀;以及导电图案,形成在半导体结构的部分的一个表面上,该一个表面包括第一导电层。
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公开(公告)号:CN105609410A
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201511035867.1
申请日:2015-11-13
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/288 , H01L21/3213 , H01L21/6835 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/94 , H01L24/95 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/03002 , H01L2224/03005 , H01L2224/03009 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/03505 , H01L2224/03848 , H01L2224/039 , H01L2224/05794 , H01L2224/05847 , H01L2224/06181 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2221/68381 , H01L21/28 , H01L21/02697
摘要: 本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例,用于处理半导体衬底的方法可以包括:用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区;由半导体衬底形成多个管芯,其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属;以及随后,对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。
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公开(公告)号:CN102789966A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201210157001.8
申请日:2012-05-18
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: 哈利勒·哈希尼 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
CPC分类号: C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/08 , C23C4/134 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/741 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/03332 , H01L2224/03442 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05824 , H01L2224/05847 , H01L2224/05939 , H01L2224/05944 , H01L2224/05966 , H01L2224/05979 , H01L2224/0598 , H01L2224/05981 , H01L2224/0603 , H01L2224/27442 , H01L2224/29082 , H01L2224/292 , H01L2224/29324 , H01L2224/29347 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29466 , H01L2224/29479 , H01L2224/2948 , H01L2224/29481 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及用于在基板上制造金属层的方法和器件。具体地,本发明提供了一种在半导体基板上制造金属层的方法。通过沉积金属颗粒在半导体基板上制造金属层。该金属颗粒包括由第一金属材料制成的核和包围该核的壳。该壳由抗氧化的第二金属材料制成。本发明还涉及一种用于制造半导体基板中的通孔的方法以及制造半导体芯片的方法。本发明还涉及一种半导体器件,其包括包含第一电极的半导体芯片;和施加于该半导体芯片的第一电极的金属颗粒。
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公开(公告)号:CN103855124A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310597577.0
申请日:2013-11-22
申请人: 爱思开海力士有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03505 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0579 , H01L2224/05839 , H01L2224/05847 , H01L2224/11464 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:半导体结构,在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口;第一导电层,形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀;以及导电图案,形成在半导体结构的部分的一个表面上,该一个表面包括第一导电层。
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公开(公告)号:CN103050464A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210384574.4
申请日:2012-10-11
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: 乔治·迈尔-伯格
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/48
CPC分类号: H01L24/03 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/03332 , H01L2224/03442 , H01L2224/03515 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0529 , H01L2224/053 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/05839 , H01L2224/05844 , H01L2224/05847 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2924/00014 , H01L2924/12044 , H01L2924/3512 , H05K3/3436 , H05K2201/10719 , Y10T29/49147 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01026 , H01L2924/0105 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供表面安装型封装连接件和用于制造表面安装型封装连接件的方法。表面安装型封装连接件包括弹性导体、互连焊盘以及导电层。弹性导体具有顶面。互连焊盘电连接至弹性导体。弹性导体的顶面远离互连焊盘布置。导电层在弹性导体的顶面上。该导电层提供增加的导电表面面积并且也可以是可焊表面。
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