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公开(公告)号：CN103890910A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280046487.6
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/045 , C23C16/4401 , C23C16/4554 , C23C16/56 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837 , H01L21/76898 , H01L29/66795
摘要： 在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN103119196A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180016315.X
申请日：2011-03-23
申请人： 诺发系统公司
发明人： 乔治·安德鲁·安东内利 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/02112 , C23C16/342 , C23C16/56 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/7843
摘要： 形成氮化硼或者硼碳氮化物绝缘体制造没有负载效应的敷形层的方法。绝缘层通过在衬底上化学气相沉积（CVD）含硼膜而形成，沉积的至少一部分不用等离子体执行，并且随后曝光沉积的含硼膜在等离子体中。CVD组分控制沉积工艺，产生了不具负载效应的敷形膜。该绝缘层是可灰化的，并可用氢等离子体去除而不影响周围材料。与诸如氧化硅或氮化硅等其他前段隔离物或者硬质掩膜材料相比，该绝缘层具有非常低的湿法蚀刻速率，并且具有相对低的介电常数，其比氮化硅低得多。
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公开(公告)号：CN103582932B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280027241.4
申请日：2012-06-01
申请人： 诺发系统公司
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02068 , H01L21/28556 , H01L21/76829 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L21/76883
摘要： 公开的方法用与硅结合的金属层或含金属化合物层覆盖铜线的暴露表面。在一些情况下，金属或含金属化合物形成原子层。在一些实施例中，方法涉及将铜表面首先暴露于含金属前体以形成吸收前体或金属原子的原子层，这可通过例如钉扎处理被任选地转变成氧化物、氮化物、碳化物等。随后的暴露于含硅前体可通过或不通过金属原子转变来进行。
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公开(公告)号：CN107342216B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201710347032.2
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/762 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN107342216A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710347032.2
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/762 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/045 , C23C16/4401 , C23C16/4554 , C23C16/56 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837 , H01L21/76898 , H01L29/66795
摘要： 本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN103890910B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201280046487.6
申请日：2012-08-29
申请人： 诺发系统公司
发明人： 尚卡尔·斯娃米纳森 , 乔恩·亨利 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 基里斯·K·卡特提格 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 安德鲁·J·麦克罗
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76825 , C23C16/045 , C23C16/4401 , C23C16/4554 , C23C16/56 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76837 , H01L21/76898 , H01L29/66795
摘要： 在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。
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公开(公告)号：CN103119196B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201180016315.X
申请日：2011-03-23
申请人： 诺发系统公司
发明人： 乔治·安德鲁·安东内利 , 曼迪亚姆·西里拉姆 , 维什瓦纳坦·兰加拉詹 , 普拉莫德·苏布拉莫尼姆
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/02112 , C23C16/342 , C23C16/56 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/7843
摘要： 形成氮化硼或者硼碳氮化物绝缘体制造没有负载效应的敷形层的方法。绝缘层通过在衬底上化学气相沉积（CVD）含硼膜而形成，沉积的至少一部分不用等离子体执行，并且随后曝光沉积的含硼膜在等离子体中。CVD组分控制沉积工艺，产生了不具负载效应的敷形膜。该绝缘层是可灰化的，并可用氢等离子体去除而不影响周围材料。与诸如氧化硅或氮化硅等其他前段隔离物或者硬质掩膜材料相比，该绝缘层具有非常低的湿法蚀刻速率，并且具有相对低的介电常数，其比氮化硅低得多。
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公开(公告)号：CN103582932A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027241.4
申请日：2012-06-01
申请人： 诺发系统公司
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02068 , H01L21/28556 , H01L21/76829 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L21/76883
摘要： 公开的方法用与硅结合的金属层或含金属化合物层覆盖铜线的暴露表面。在一些情况下，金属或含金属化合物形成原子层。在一些实施例中，方法涉及将铜表面首先暴露于含金属前体以形成吸收前体或金属原子的原子层，这可通过例如钉扎处理被任选地转变成氧化物、氮化物、碳化物等。随后的暴露于含硅前体可通过或不通过金属原子转变来进行。
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