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公开(公告)号：CN106245073A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610806686.2
申请日：2011-05-18
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/768
摘要： 本发明提供用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及系统。一种用铜电填充高纵横比的大型凹入特征并且场区中不沉积大量铜的方法。所述方法允许以实质上无空隙的方式完全填充纵横比为至少约5:1、例如至少约10:1并且宽度为至少约1μm的凹入特征，同时场区中沉积的铜不超过5％(相对于凹入特征中沉积的厚度)。所述方法包括使具有一个或一个以上高纵横比的大型凹入特征(例如TSV)的衬底与包含铜离子和经配置以抑制铜在场区中沉积的有机双态抑制剂(DSI)的电解质接触，和在电位控制条件下电沉积铜，其中控制电位不超过DSI的临界电位。
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公开(公告)号：CN102124551B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN200980132002.3
申请日：2009-08-17
申请人： 诺发系统有限公司
CPC分类号： H01L25/50 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约3微米，且其深度可大于约20微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。
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公开(公告)号：CN105845558B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201610319106.7
申请日：2009-08-17
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/98 , C25D3/38 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D21/12
摘要： 本发明涉及穿硅通孔填充工艺，并揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约3微米，且其深度可大于约20微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。
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公开(公告)号：CN102124551A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132002.3
申请日：2009-08-17
申请人： 诺发系统有限公司
CPC分类号： H01L25/50 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 本发明揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约3微米，且其深度可大于约20微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。
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公开(公告)号：CN102804343B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080026847.7
申请日：2010-06-16
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D3/38 , C25D5/003 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/04 , H01L21/76861 , H01L21/76898
摘要： 本发明揭示预润湿设备设计和方法。这些设备设计和方法用以在于晶片的表面上镀敷金属之前预润湿所述晶片。所揭示的预润湿流体的组合物防止所述晶片上的晶种层的腐蚀，且还改善所述晶片上的特征的填充速率。
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公开(公告)号：CN102471919B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080034658.4
申请日：2010-07-29
申请人： 诺发系统有限公司
CPC分类号： G01N27/42
摘要： 本发明揭示通过在施加负电位的同时使具有预调节剂物质的预调节电镀溶液流动穿过流通式电解检测池的流动通道来预调节所述流动通道中的工作电极。将液体穿过所述流动通道的流动从预调节溶液快速地转换成含有待测量的有机目标溶质的目标溶液。通过在初始瞬变时间周期期间测量电流密度来检测由所述工作电极暴露于有机目标溶质引起的系统的瞬变响应。通过将所述瞬变响应与已知浓度所特有的一个或一个以上瞬变响应进行比较来确定目标溶质的未知浓度。优选测量系统可操作以在约200毫秒或更短时间内将流动从预调节溶液转换成目标溶液。
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公开(公告)号：CN102400196A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110281341.7
申请日：2011-09-09
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D21/12 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/04 , C25D21/12 , H01L21/2885
摘要： 本发明涉及在穿硅通孔镀敷中减少副产品。确切地说，本发明描述用于用具有低氧浓度的镀敷溶液将金属镀敷到工件上的方法、系统及设备。在一方面中，一种方法包含降低镀敷溶液的氧浓度。所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂。在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触。所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少。接着，在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。
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公开(公告)号：CN106245073B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201610806686.2
申请日：2011-05-18
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/768
摘要： 本发明提供用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及系统。一种用铜电填充高纵横比的大型凹入特征并且场区中不沉积大量铜的方法。所述方法允许以实质上无空隙的方式完全填充纵横比为至少约5:1、例如至少约10:1并且宽度为至少约1μm的凹入特征，同时场区中沉积的铜不超过5％(相对于凹入特征中沉积的厚度)。所述方法包括使具有一个或一个以上高纵横比的大型凹入特征(例如TSV)的衬底与包含铜离子和经配置以抑制铜在场区中沉积的有机双态抑制剂(DSI)的电解质接触，和在电位控制条件下电沉积铜，其中控制电位不超过DSI的临界电位。
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公开(公告)号：CN102286760B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201110136214.8
申请日：2011-05-18
申请人： 诺发系统有限公司
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/022 , C25D7/123 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及系统。一种用铜电填充高纵横比的大型凹入特征并且场区中不沉积大量铜的方法。所述方法允许以实质上无空隙的方式完全填充纵横比为至少约5∶1、例如至少约10∶1并且宽度为至少约1μm的凹入特征，同时场区中沉积的铜不超过5％(相对于凹入特征中沉积的厚度)。所述方法包括使具有一个或一个以上高纵横比的大型凹入特征(例如TSV)的衬底与包含铜离子和经配置以抑制铜在场区中沉积的有机双态抑制剂(DSI)的电解质接触，和在电位控制条件下电沉积铜，其中控制电位不超过DSI的临界电位。
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