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公开(公告)号：CN101180737B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200480042161.1
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了用在功率电子应用的改进功率器件及其制造方法、封装以及结合有功率器件的电路的各种实施例。本发明的一个方面将许多电荷平衡技术和用于减小寄生电容的其他技术相结合以实现具有改进的电压性能、更高开关速度、更低导通电阻的功率器件的不同实施例。本发明的另一方面提供了用于低、中和高压器件的改进终端结构。根据本发明的其他方面，提供了功率器件制造的改进方法。示出对诸如形成沟槽、形成沟槽内介电层、形成台面结构和用于减小基板厚度的工艺的具体工艺步骤的改进。根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。本发明的其他方面改进了功率器件的等效串联电阻(ESR)、将附加电路与功率器件结合在相同的芯片上、以及提供对电荷平衡功率器件的封装改进。
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公开(公告)号：CN102420241B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110304948.2
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/739
摘要： 本发明提供半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构。半导体器件包括：第一导电类型的漂移区；阱区，在漂移区上延伸并具有与第一导电类型相反的第二导电类型；有源沟槽，穿过阱区延伸并延伸进漂移区，沿着有源沟槽侧壁和底部设置介电材料，有源沟槽基本填充形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，上电极设置在下电极上并通过电极间介电材料与下电极分离；源极区，具有第一导电类型，形成在与有源沟槽相邻的阱区中；第一终端沟槽，在阱区下延伸并设置在器件有源区外边缘处。终端结构包括具有第一导电类型的多个同心环柱，其形成在具有与第一导电类型相反的第二导电类型的终端区内并环绕在器件有源区周围，每个柱连接到导电场板。
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公开(公告)号：CN101794817B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010138629.4
申请日：2004-12-29
申请人： 飞兆半导体公司
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了用在功率电子应用的改进功率器件及其制造方法、封装以及结合有功率器件的电路的各种实施例。本发明的一个方面将许多电荷平衡技术和用于减小寄生电容的其他技术相结合以实现具有改进的电压性能、更高开关速度、更低导通电阻的功率器件的不同实施例。本发明的另一方面提供了用于低、中和高压器件的改进终端结构。根据本发明的其他方面，提供了功率器件制造的改进方法。示出对诸如形成沟槽、形成沟槽内介电层、形成台面结构和用于减小基板厚度的工艺的具体工艺步骤的改进。根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。本发明的其他方面改进了功率器件的等效串联电阻(ESR)、将附加电路与功率器件结合在相同的芯片上、以及提供对电荷平衡功率器件的封装改进。
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公开(公告)号：CN103199017A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310060514.1
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层。
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公开(公告)号：CN102420241A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110304948.2
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供半导体器件和在半导体器件外边缘处的终端结构。半导体器件包括：第一导电类型的漂移区；阱区，在漂移区上延伸并具有与第一导电类型相反的第二导电类型；有源沟槽，穿过阱区延伸并延伸进漂移区，沿着有源沟槽侧壁和底部设置介电材料，有源沟槽基本填充形成上电极的第一导电层和形成下电极的第二导电层，上电极设置在下电极上并通过电极间介电材料与下电极分离；源极区，具有第一导电类型，形成在与有源沟槽相邻的阱区中；第一终端沟槽，在阱区下延伸并设置在器件有源区外边缘处。终端结构包括具有第一导电类型的多个同心环柱，其形成在具有与第一导电类型相反的第二导电类型的终端区内并环绕在器件有源区周围，每个柱连接到导电场板。
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公开(公告)号：CN101180737A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200480042161.1
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了用在功率电子应用的改进功率器件及其制造方法、封装以及结合有功率器件的电路的各种实施例。本发明的一个方面将许多电荷平衡技术和用于减小寄生电容的其他技术相结合以实现具有改进的电压性能、更高开关速度、更低导通电阻的功率器件的不同实施例。本发明的另一方面提供了用于低、中和高压器件的改进终端结构。根据本发明的其他方面，提供了功率器件制造的改进方法。示出对诸如形成沟槽、形成沟槽内介电层、形成台面结构和用于减小基板厚度的工艺的具体工艺步骤的改进。根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。本发明的其他方面改进了功率器件的等效串联电阻(ESR)、将附加电路与功率器件结合在相同的芯片上、以及提供对电荷平衡功率器件的封装改进。
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公开(公告)号：CN103199017B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310060514.1
申请日：2004-12-28
申请人： 飞兆半导体公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层。
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公开(公告)号：CN101794817A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010138629.4
申请日：2004-12-29
申请人： 飞兆半导体公司
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/4933 , H01L29/495 , H01L29/66734 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L29/7828 , H01L29/7831 , H01L2224/16245 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了用在功率电子应用的改进功率器件及其制造方法、封装以及结合有功率器件的电路的各种实施例。本发明的一个方面将许多电荷平衡技术和用于减小寄生电容的其他技术相结合以实现具有改进的电压性能、更高开关速度、更低导通电阻的功率器件的不同实施例。本发明的另一方面提供了用于低、中和高压器件的改进终端结构。根据本发明的其他方面，提供了功率器件制造的改进方法。示出对诸如形成沟槽、形成沟槽内介电层、形成台面结构和用于减小基板厚度的工艺的具体工艺步骤的改进。根据本发明的又一方面，电荷平衡功率器件将诸如二极管的温度和电流感应元件结合在相同的管芯上。本发明的其他方面改进了功率器件的等效串联电阻(ESR)、将附加电路与功率器件结合在相同的芯片上、以及提供对电荷平衡功率器件的封装改进。
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