公开(公告)号：CN101356634A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680039817.3

申请日：2006-10-20

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 拉克希米·N·拉马纳坦 ,  特里·K·达利 ,  贾森·R·芬德

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11552 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 提供了一种方法，用于形成半导体组件。利用低温粘合剂将具有第一厚度的半导体衬底(20)安装在半导体衬底(28)上。将所述半导体衬底从第一厚度减薄到第二厚度。在半导体衬底上形成至少一个触点结构(50)，并且将高能电磁辐射(56)指引到所述至少一个触点结构上以回流该至少一个触点结构。