公开(公告)号：CN103354949B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201180067393.2

申请日：2011-02-09

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 微电子封装(10)包括基板(20)，该基板(20)具有第一区域(26)和第二区域(28)，第一表面(22)和远离第一表面(22)的第二表面(24)。至少一个微电子元件(60)设置在第一表面(22)上的第一区域(26)之上。第一导电元件(30)暴露在基板(20)的第一表面(22)和第二表面(24)之一的第二区域(26)之内，并且至少一些第一导电元件(30)与至少一个微电子元件(60)形成电连接。基本上刚性的金属元件(40)设置在第一导电元件(30)之上，并具有远离第一导电元件(30)的端面(42)。结合金属(41)接合在金属元件(40)和第一导电元件(30)之间，模制介电层(50)覆盖在基板(20)的至少第二区域(28)上并具有远离基板的表面(52)。该金属元件(40)的端面(42)的至少一部分暴露于模制介电层(50)的表面。

公开(公告)号：CN105405780A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510941387.5

申请日：2015-12-16

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 冯光建

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/11003

摘要： 本发明提供一种无模板法的晶圆植球工艺，包括下述步骤：步骤S1，对滚轴充电，使滚轴表面带静电；通过激光扫描，使得滚轴表面具有与晶圆植球区域相对应的静电图形；滚轴旋转中先接触焊料，使得滚轴表面对应晶圆植球区域吸附焊料；通过滚轴与胶带上具有粘性的胶膜或胶带上涂覆的粘性膜接触，将焊料转移到胶带上；步骤S2，晶圆表面涂覆粘性膜，利用键合工艺或贴合工艺将胶带与晶圆贴在一起；步骤S3，对胶带表面具有粘性的胶膜去粘性处理，使得带有焊料的胶膜结构转移到晶圆上；步骤S4，进行回流焊得到焊球。本工艺可以实现植球工艺和植球机的分离，使晶圆级植球可以通过贴膜工艺来实现。

公开(公告)号：CN103779303A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310631177.7

申请日：2013-10-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·C·吴 ,  T·H·林 ,  M-T·王

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2761 ,  H01L2224/27826 ,  H01L2224/28105 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29562 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29618 ,  H01L2224/29639 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29669 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92135 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明涉及凸点式封装及其形成方法。根据本发明的实施例，半导体封装包括半导体芯片和凸点。半导体芯片具有主表面上的接触垫。凸点被置于半导体芯片的接触垫上。焊料层被置于凸点的侧壁上。

公开(公告)号：CN101573784B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780046218.9

申请日：2007-11-27

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 谷口泰士 ,  中谷诚一 ,  北江孝史 ,  辛岛靖治 ,  保手浜健一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11522 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/83555 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3489 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/087 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 装载焊锡凸点的电极结构体(100)包括：由选自Cu、Al、Cr及Ti的电极构成材料形成的电极图案(50)；形成于电极图案(50)上的一部分的Ni层(52)；形成于电极图案(50)上的所述一部分以外的区域的至少一部分的Pd层(54)；以及形成于Ni层(52)和Pd层(54)上的Au层(56)。

公开(公告)号：CN101567347B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910137024.0

申请日：2009-04-23

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 小山雅义 ,  塚原法人 ,  松冈进

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/361 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01019 ,  H05K3/323 ,  H05K3/363 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09427 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/087 ,  H05K2203/167 ,  Y10T29/49126

摘要： 本发明的布线基板中，在第一基板(31a)的接合区域中布线的端面(36a)位于从端部往后退的位置，在第二基板(31b)的接合区域中布线的端面(36b)位于从端部往后退的位置，利用导电体(16A)将第一基板(31a)的布线的端面(36a)和第二基板(31b)的布线的端面(36b)之间的间隙(W)加以接合，通过树脂将第一基板(31a)和第二基板(31b)加以接合。

公开(公告)号：CN101877349B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010155369.1

申请日：2010-04-09

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 柳瀬康行 ,  铃木敦顺 ,  冈山芳央

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明提供一种半导体模块及便携式设备。第一电路元件及第二电路元件均使电极形成面面向布线层的一个面安装。在布线层的一个面上一体地形成的第一突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第一电路元件的元件电极的镀金层和设置在第一突起电极的顶部的镀金层。另外，在布线层的一个面上一体地形成的第二突起电极实质上贯通第一绝缘树脂层及第二绝缘树脂层，通过金-金结连接覆盖第二电路元件的元件电极的镀金层和设置在第二突起电极的顶部的镀金层。

公开(公告)号：CN101385402B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200780005218.4

申请日：2007-01-31

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 西川英信 ,  光明寺大道

IPC分类号： H01L21/44 ,  H05K3/32

CPC分类号： H05K3/321 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/189 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2201/10984 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明包括：只对电子部件的多个凸块赋予含导电性粒子的各向异性导电性树脂的步骤；通过各向异性导电性树脂在柔性的配线基板的主面上配置电子部件的步骤；以及将电子部件按压在配线基板上、使赋予于多个凸块的各向异性导电性树脂固化，将多个凸块接合于配线基板的电极的步骤。由此，可以防止电子部件的安装不良。

公开(公告)号：CN102208388A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110081344.6

申请日：2011-03-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种窄间距、且确保高连接可靠性的简易结构的半导体装置及其制造方法。本发明包括：对电子元器件(1)的多个电极(1a)的至少一个电极赋予两个以上的焊料粒子(3)的工序；将电子元器件(1)的电极(1a)与电路基板(2)的电极(2a)相对配置的工序；使赋予电子元器件(1)的电极(1a)表面的焊料粒子(3)与电路基板(2)的电极(2a)相抵接的工序；以及加热焊料粒子(3)的工序，通过焊料粒子(3)熔融后的两个以上的焊料接合体(8)将电子元器件(1)的电极(1a)和电路基板(2)的电极(2a)进行电连接。

公开(公告)号：CN101276796B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710170166.8

申请日：2007-09-29

申请人： 英特尔公司

发明人： C·王

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/12007 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本发明的名称是“纳米管增强的焊料帽、组成方法及其芯片封装和系统”。碳纳米管-焊料形成在集成电路封装的衬底上。该碳纳米管-焊料显示出高的导热性和导电性。该碳纳米管-焊料用作金属凸点上的焊料微帽，用于集成电路器件和外部结构之间的通信。

公开(公告)号：CN101416309B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200780012323.0

申请日：2007-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： N·拉拉维卡 ,  D·苏

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  C01B31/02

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  Y10S438/962 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 碳纳米管(CNT)阵列在衬底上图案化。衬底可以是微电子裸片、倒扣片的插入类型结构、安装基板或底板。通过在衬底上使用经图案化的金属籽晶层，使CNT阵列图案化，通过化学汽相淀积来形成CNT阵列。还可通过在所述衬底上用图案化掩模来对将图案化的CNT阵列进行图案化，通过生长来形成CNT阵列。还描述了其中用CNT阵列从裸片传导热的计算系统。